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MOSFET开关的基本工作原理是通过_极电压来控制_极和__极之间的导电沟道的通断
电压
导电
发布时间:
2023-09-15 10:43:34
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1.
MOSFET器件工作在饱和区时,由于导电沟道被夹断,所以漏极电流为0。选项: A:对 B:错
2.
如下所述,晶闸管是如何导通的:选项: A:在晶闸管阳极——阴极之间无论加正向或反向电压,只要门极加正向电压,产生足够的门极电流,则晶闸管导通。; B:在晶闸管阳极——阴极之间加反向电压,门极加正向电压,产生足够的门极电流,则晶闸管导通。; C:在晶闸管阳极、门极(都相对于阴极)加正向电压,产生足够的门极电流,则晶闸管导通。; D:在晶闸管阳极——阴极之间加反向电压,门极也加正向电压,产生足够的门极电流,则晶闸管导通。
3.
当MOSFET工作在恒流区(饱和区)时,它的导电沟道是连续的(沟道没有夹断区)。
4.
以下哪些因素会降低MOSFET的饱和区漏极电流:( )。选项: A:栅氧化层厚度减小; B:沟道长度增加; C:沟道宽度增加; D:阈值电压提高
5.
以下哪些措施可以增大MOSFET的饱和区漏极电流:( )。选项: A:增加沟道长度; B:减小栅氧化层厚度; C: 减小沟道宽度; D: 提高阈值电压
6.
N沟道增强型MOS管的栅源电压为正时,能控制漏极电流。()
7.
当栅源电压为0V时,【】MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流
8.
当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。
9.
晶闸管导通的条件是( )。 选项: A:阳极与阴极之间加正向电压 B:门极与阴极加正向触发脉冲 C:阳极与门极之间加正向电压 D:门极与阳极加正向触发脉冲
10.
晶闸管导通的条件是(
)。 选项: A:阳极与阴极之间加正向电压 B:门极与阴极加正向触发脉冲 C:阳极与门极之间加正向电压 D:门极与阳极加正向触发脉冲
11.
当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。 选项: A、N沟道耗尽型 B、N沟道增强型 C、P沟道耗尽型 D、P沟道增强型
12.
当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流 A: P沟道耗尽型 B: P沟道增强型 C: N沟道耗尽型 D: N沟道增强型
13.
当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。选项: A:P沟道耗尽型; B:N沟道耗尽型; C:N沟道增强型; D:P沟道增强型
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