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杂质半导体中多数载流子的浓度取绝于( )
体中
杂质
载流子
发布时间:
2024-03-30 08:19:42
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1.
杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( )。
2.
在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于____。 选项:温度|掺杂工艺|杂质浓度
3.
P型半导体中的多数载流子是();N型半导体中的多数载流子是();杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()[掺杂的浓度,温度]半导体材料中的载流子浓度越高,材料的导电性能越()[好,差]
4.
在杂质半导体中,多数载流子的浓度与杂质浓度有关,N型半导体中的少数载流子是( )。 选项: A、 自由电子 B、 空穴
5.
在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( )。选项: A:温度; B:掺杂工艺; C:杂质浓度; D:湿度
6.
杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷
7.
杂质半导体中,的浓度对温度敏感。 选项: A、多数载流子 B、 少数载流子 C、 杂质离子 D、 空穴
8.
杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于( )。 选项: A: 温度 B: 掺杂工艺 C: 掺杂浓度 D: 晶体缺陷
9.
杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( )。 选项: A、温度 B、掺杂工艺 C、掺杂浓度 D、掺杂工艺
10.
杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于( )。选项: A:温度; B:掺杂工艺; C:掺杂浓度; D:晶体缺陷
11.
在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 ( 1 ) 。A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷
12.
在杂质半导体中多数载流子的数量主要与( )有关。选项: A:掺杂浓度 B:温度 C:半导体材料类型 D:杂质材料类型
13.
杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( )。选项: A:掺杂工艺 C.掺杂浓度 D.晶格缺陷; B:温度; C:掺杂浓度 ; D:晶格缺陷
14.
N 型杂质半导体中,多数载流子是____,少数载流子是____。
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