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- 1.目前公认的光电阴极完成光电子发射包括哪些物理过程 选项： A、来自景物的光子激发光电阴极材料中的电子产生电子空穴对，在半导体内形成自由电子 B、自由电子在半导体材料内产生碰撞产生更多的自由电子 C、自由电子在半导体材料中运动向半导体材料表面迁移 D、到达半导体材料表面的受激电子逸出表面成为真空中的光电子
- 2.光电倍增管PMT工作原理是一种基于________和________效应的电子真空器件，由光入射窗、光电阴极、电子光学系统、倍增极和阳极等部分组成。利用二次电子发射使逸出的光电子倍增，获得远高于光电管的灵敏度，能测量微弱的光信号。工作原理：（1）光子透过入射窗口入射在光电阴极上;（2）光电阴极上的电子受光子激发，离开表面发射到真空中;（3）光电子通过电场加速和电子光学系统聚焦入射到第一倍增级上，倍增级将发射出比入射电子数目更多的二次电子。入射电子经N级倍增极倍增后，光电子就放大N次；（4）经过倍增后的二次电子由阳极收集，形成阳极光电流。结构形式与特点：
- 3.光照到某些金属或半导体材料上，若入射的光子能量足够大，致使电子从材料中逸出，称为（ ）效应。选项： A:光电导效应; B:光生伏特效应; C:内光电效应; D:光电发射效应
- 4.当（）照射到金属表面上时，会使金属表面的电子获得能量，脱离金属，变成光电子，存在光电发射现象。
- 5.半导体()电子吸收光子能量跃迁入(),产生电子—空穴对的 现象成为本征吸收
- 6.阴极区获得的能量不包括（）选项： A:电子从阴极表面发射后,电子流穿过阴极区时被阴极压降加速所对应能量; B:向阴极运动的正离子流在到达阴极前，被阴极压降加速所对应能量; C:正离子在阴极表面与电子复合释放出原来电离时所吸收的能量; D:阴极表面发射电子流所对应的能量
- 7.在半导体材料中，本征半导体的自由电子浓度等于空穴的浓度
- 8.以下关于内光电效应表述正确的是选项： A:在光辐射的照射下，半导体内因吸收光子产生电子空穴对，导致半导体自身的电学特性发生改变的现象。; B:在光辐射的照射下，半导体内因吸收光子产生电子空穴对，且所产生的光电子发射到半导体外的现象。; C:在红外辐射入射下，探测器材料接收外界光子能量受热升温，进而产生与温度相关的电学性质改变的现象。; D:半导体材料内部载流子在电场作用下产生双极运动的现象。
- 9.下列选项中，符合光电倍增管电子光学系统作用的选项有（）选项： A:将光电阴极发射的光电子尽可能多的汇聚到第一倍增级; B:使光电阴极发射的光电子到达第一倍增级的渡越时间零散最小; C:使达到第一倍增级的光电子能多于光电阴极的发射光电子量; D:使进入光电倍增管的光子数增加
- 10.下列选项中，符合光电倍增管电子光学系统作用的选项有（）选项： A:将光电阴极发射的光电子尽可能多的汇聚到第一倍增级; B:使光电阴极发射的光电子到达第一倍增级的渡越时间零散最小; C:使达到第一倍增级的光电子能多于光电阴极的发射光电子量; D:使进入光电倍增管的光子数增加
- 11.在半导体材料中，本征半导体的自由电子浓度等于空穴的浓度选项： A:对 B:错
- 12.在半导体材料中，本征半导体的自由电子浓度等于空穴的浓度选项： A:错 B:对
- 13. 下列关于外光电效应表述正确的是：选项： A:对于本征半导体，电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙与电子亲和势的能量之和；; B:对于本征半导体，电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙的能量；; C:对于N型半导体，电子从施主能级跃迁到导带所需的最小能量为导带底与施主能级的能量之差；; D:对于P型掺杂半导体，电子从价带跃迁到受主能级所需的最小能量为受主能级与价带顶的能量之差。
- 14. 本征半导体中，自由电子浓度________空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度________空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度________空穴浓度。
- 15.在本征半导体中，自由电子浓度_____空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度_______空穴浓度，在N型半导体中，自由电子浓度_______空穴浓度
- 16.光电效应中，光电子的能量取决于入射光子的（）
- 17.N型半导体材料中自由电子的浓度远远高于空穴浓度，所以N型半导体带负电。 选项： A:对 B:错
- 18.用爱因斯坦光子说来解释光电效应时正确的说法是 选项： A、每一个光电子都是吸收光子后跑出来的 B、电子克服原子核的引力并从金属内部逸出来所需要的能量等于逸出功 C、光电子的最大初动能随入射光频率的增大而增大，两者成正比关系 D、光电子的能量由光子频率决定，与光的强度及光波的振幅无关
- 19.关于光电效应，下列各叙述中正确的是（） 选项： A、光子与金属表面处的电子发生相互作用时，光子的能量全部被电子吸收 B、入射光频率加倍时，光电子的最大初动能也加倍 C、单位时间内射到金属表面的光子数越多，光电子的最大初动能也越大 D、入射的光子要克服逸出功后才能与电子发生相互作用
- 20.关于光电效应,下列各叙述中正确的是( )A、光子与金属表面处的电子发生相互作用时,光子的能量全部被电子吸收.B、入射光频率加倍时,光电子的最大初动能也加倍.C、单位时间内射到金属表面的光子数越多,光电子的最大初动能也越大.D、入射的光子要克服逸出功后才能与电子发生相互作用.
- 21.在本征半导体中，自由电子和空穴的数量是（ ）。 选项：A、相同 B、不同 C、自由电子多于空穴 D、自由电子少于空穴
- 22.L层电子回迁K层且多余能量将另一L层电子打出核外即产生（ ）。选项： A:光电子; B:荧光 ; C:俄歇电子; D:光电子和二次荧光
- 23. 在本征半导体中，自由电子浓度_____空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度_______空穴浓度，在N型半导体中，自由电子浓度_______空穴浓度。 选项： A、 大于 B、 小于 C、 等于 D、 不等于
- 24.L层电子回迁K层且多余能量将另一L层电子打出核外即产生（ ）。 选项： A、光电子 B、荧光 C、俄歇电子 D、光电子和二次荧光
