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砷化镓是直接带隙半导体材料
半导体
材料
直接
发布时间:
2024-06-04 19:01:08
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1.
下列半导体材料中,属于直接带隙半导体的是( )。 A: 硅 B: 锗 C: 砷化镓 D: 磷化镓
2.
从能带结构上来看,砷化镓材料属于____________________带隙半导体。
3.
半导体砷化镓属于化合物半导体,与硅和锗不同的是,砷化镓为直接带隙半导体。 选项: A、正确 B、错误
4.
半导体砷化镓属于化合物半导体,与硅和锗不同的是,砷化镓为直接带隙半导体。选项: A:正确; B:错误
5.
中国大学MOOC: 半导体砷化镓属于化合物半导体,与硅和锗不同的是,砷化镓为直接带隙半导体。
6.
砷化镓薄膜太阳电池所使用的吸收层材料为 接带隙半导体材料。
7.
半导体行业最常用的半导体材料是()。 选项: A、Si B、Ge C、氮化镓 D、砷化镓
8.
从能带角度来看,锗、硅属于_________半导体,而砷化稼属于_________半导体,后者有利于光子的吸收和发射。( )选项: A:间接带隙,间接带隙 B:间接带隙,直接带隙 C:直接带隙,直接带隙 D:直接带隙,间接带隙
9.
以下关于半导体能带特征描述正确的是()选项: A:室温下,硅的禁带宽度约为1.12eV,是直接带隙半导体; B:室温下,锗的禁带宽度约为0.67eV,是直接带隙半导体; C:室温下,砷化镓的禁带宽度约为1.12eV,是直接带隙半导体; D:室温下,硅的禁带宽度约为1.12eV,是间接带隙半导体
10.
第一代半导体材料是砷化镓。
11.
砷化镓是间接能带隙材料。选项: A:对 B:错
12.
下列化合物半导体材料属于间接跃迁半导体的是( )。 选项: A、砷化镓半导体 B、磷化镓半导体 C、磷化铟半导体 D、氮化镓半导体
13.
有关直接和间接带隙半导体材料说法正确的是?选项: A:GaN属于直接带隙半导体材料; B:直接带隙半导体材料通常用于制作光探测器件; C:间接带隙半导体材料通常用于制作发光器件; D:直接带隙半导体材料在能级跃迁过程中有声子参与
14.
最基本的半导体材料是()、砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)。
15.
硅是间接带隙半导体材料、GaAs和CdTe均是直接带隙材料
16.
硅是间接带隙半导体材料、GaAs和CdTe均是直接带隙材料
17.
砷化镓属于()半导体
18.
砷化镓中替代镓位的硅原子起施主作用;这样的砷化镓是n型半导体。( )选项: A:对 B:错
19.
砷化稼是直接能隙半导体,硅和锗是间接能隙半导体。( )选项: A:对 B:错
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