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- 1.硅二极管正偏导通时,其管压降约为 。A.0.1VB.0.2VC.0.5VD.0.7V
- 2.硅二极管正偏导通时，其管压降约为 。
- 3.硅管正偏导通时，其管压降约为()
- 4.硅管正偏导通时，其管压降约为（ ）
- 5.硅二极管正偏导通时，其管压降约为（ ）。 选项：0.1V|0.2V|0.5V|0.7V
- 6.硅管正偏导通时，其管压降约为（ ） 选项： A、1V B、0.2V C、0.7V
- 7.硅管正偏导通时，其管压降约为（ ）。选项： A:0.1V B:0.2V C:0.5V D:0.7V
- 8.在常温下，硅二极管的门槛电压约为 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 V；锗二极管的门槛电压约为 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 V
- 9.从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ ）时处于正偏导通状态。
- 10.从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ ）时处于正偏导通状态。 选项： A:正确 B:错误
- 11.硅管正向导通时，其管压降约为0.2V。选项： A:正确; B:错误
- 12.从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ ）时处于正偏导通状态。选项： A:0; B:死区电压; C:反向击穿电压; D:正向压降
- 13.从二极管的特性曲线可以看出，二极管两端的压降大于（ ）处于正偏导通状态。选项： A:0 B:死区电压 C:反向击穿电压 D:正向压降
