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同样条件下,半导体材料( )反向电流密度变化最大。
选项:
A:硅;
B:锗;
C:砷化镓;
D:锑化铟
半导体
条件下
反向
发布时间:
2024-06-17 19:07:20
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相关试题
1.
霍尔元件根据霍尔效应原理制成,一般采用( )等半导体单晶材料制作。选项: A:锗; B:硅; C:锑化铟; D: 砷化铟
2.
当前半导体材料 应用最广泛的是选项: A:硅; B:砷化镓; C:锗; D:锗硅材料
3.
下列材料中,不适宜制作霍尔元件的是( )。 选项: A、锑化铟型半导体 B、锗型半导体 C、砷化铟型半导体 D、金属
4.
制造霍尔元件的半导体材料中,目前应用较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些( ).
5.
制造霍尔元件的半导体材料中,目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些()。
6.
半导体砷化镓属于化合物半导体,与硅和锗不同的是,砷化镓为直接带隙半导体。 选项: A、正确 B、错误
7.
下列材料中,适宜作霍尔元件的有( )。 选项: A:金属 B:N 型锗 C:N 型锑化铟 D:N 型砷化铟
8.
下列材料中,不适宜制作霍尔元件的是( )。 选项: A:金属 B:N型锗 C:N型锑化铟 D:N型砷化铟
9.
【多选题】下列材料中,适宜作霍尔元件的有()。 选项: A: 金属 B: N型锗 C: N型锑化铟 D: N型砷化铟
10.
下列材料中,适宜作霍尔元件的有()。 选项: A:A.金属 B:B.N型锗 C:C.N型锑化铟 D:D.N型砷化铟
11.
砷化镓和磷化铟属于间接带隙半导体。
12.
下列材料中,不适宜制作霍尔元件的是A.N 型砷化铟B.N 型锑化铟C.N 型锗D.金属
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