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- 1.质量为m电量为q的粒子，以速率v与均匀磁场B成θ角射入磁场，轨迹为一螺旋线，若要增大螺距则要 [ ］ 选项： A、内外部磁感应强度B都与r成反比 B、内部磁感应强度B与r成反比，外部磁感应强度B与r成正比 C、减少磁场B D、增加磁场B
- 2.霍尔效应中，霍尔电势与（ ） 选项： A、励磁电流成反比 B、工作电流成反比 C、磁感应强度成正比 D、试样厚度成正比
- 3.无限长直圆柱体导线，半径为R，沿轴向均匀流有电流，设圆柱体内（r＜R）的磁感应强度为Br，圆柱体外（r＜R）的磁感应强度为Be，则有选项： A:Br、Be均与r成正比。; B:Br、Be均与r成反比。; C:Br与r成反比，Be与r成正比。; D:Br与r成正比，Be与r成反比
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4.无限长直圆柱体半径为R，沿轴向均匀流有电流。设圆柱体内(r
- 5.半径为a的圆线圈置于磁感应强度为Β的均匀磁场中，线圈平面与磁场方向垂直，线圈电阻为R. 当把线圈转动使其法向与Β的夹角60°时，线圈中通过的电量与线圈面积及转动的时间的关系是 选项： A: 与线圈面积成反比，与时间无关 B: 与线圈面积成反比，与时间成正比 C: 与线圈面积成正比，与时间无关 D: 与线圈面积成正比，与时间成正比
- 6.霍尔效应中，霍尔电势与（）A.激磁电流成反比B.工作电流成反比C.磁感应强度成正比D.试样厚度成正比
- 7.霍尔效应中,霍尔电压与A.励磁电流成反比B.工作电流成反比C.磁感应强度成正比D.试样厚度成正比
- 8.半径为a的圆线圈置于磁感应强度为B的均匀磁场中，线圈平面与磁场方向垂直，线圈电阻为R，当把线圈转动使其法向与B的夹角为60°时，线圈已通过的电量与线圈面积及转动时间的关系是（）选项： A:与线圈面积成正比，与时间无关。; B:与线圈面积成正比，与时间成正比; C:与线圈面积成反比，与时间无关。; D:与线圈面积成反比，与时间成正比。
- 9.半径为a的圆线圈置于磁感应强度为B的均匀磁场中，线圈平面与磁场方向垂直，线圈电阻为R，当把线圈转动使其法向与B的夹角为60°时，线圈已通过的电量与线圈面积及转动时间的关系是（）。 选项： A、与线圈面积成正比，与时间无关。 B、与线圈面积成正比，与时间成正比。 C、与线圈面积成反比，与时间无关。 D、与线圈面积成反比，与时间成正比。
- 10.用霍尔效应测量磁场时,霍尔电压的大小() 选项： A、与霍尔材料的性质无关; B、与外加磁场的磁感应强度的大小成正比 C、与霍尔片上的工作电流的大小成反比 D、与励磁电流成反比
- 11.半径为a的圆线圈置于磁感应强度为B的均匀磁场中，线圈平面与磁场方向垂直，线圈电阻为R，当把线圈转动使其法向与B的夹角为60°时，线圈已通过的电量与线圈面积及转动时间的关系是（）。 选项：与线圈面积成正比，与时间无关。#与线圈面积成正比，与时间成正比。#与线圈面积成反比，与时间无关。#与线圈面积成反比，与时间成正比。
- 12.电子的磁偏转距离与所加的磁感应强度B成正比，与（）成反比。 选项： A、加速电压 B、加速电压的平方根 C、加速电压的平方 D、电子质量
- 13.【单选题】当磁场确定后,磁场中某一点的磁感应强度 A. 只与磁场本身的性质有关 B. 与运动电荷在该点所受力成正比 C. 与运动电荷的电量成反比 D. 与运动电荷的运动速度成反比
- 14.半径为a的圆线圈置于磁感应强度为B的均匀磁场中，线圈平面与磁场方向垂直，线圈电阻为R，当把线圈转动使其方向与B的夹角θ=60°时，线圈中已通过的电量与线圈面积及转动的时间的关系是()。 选项：A.与线圈面积成正比，与时间无关 B.与线圈面积成正比，与时间正比 C.与线圈面积成反比，与时间正比 D.与线圈面积成反比，与时间无关
- 15.无限长直的圆柱体，半径为R，沿轴向均匀流有电流，设圆柱体内（r小于R）的磁感应强度大小为B1，圆柱体外的磁感应强度为B2，则有（） 选项： A、B1、B2均与r成正比 B、B1、B2均与r成反比 C、B1与r成正比，B2与r成反比 D、B1与r成反比，B2与r成正比
- 16.关于霍尔传感器下列说法不正确的是( )A.霍尔传感器具有在静态下感受磁场的能力。B.当控制电流不变时，霍尔电势正比于磁感应强度。C.当控制电流、磁感应强度均变时，传感器的输出与二者的乘积成正比。D.当磁感应强度恒定不变时，霍尔电压与控制电流成反比。
- 17.与输出霍尔电势成反比的参数为（ ）? 霍尔系数|电流大小|磁感应强度|霍尔元件厚度
- 18.关于霍尔传感器下列说法不正确的是(). 选项： A:传器具有静态下受磁场的能力。 B:当控制电流不变时，霍尔电势正比于磁感应强度。 C:、磁应强度均变时，传感器的输出与二者的乘积成正比。 D:当磁感应强度恒定不变时，霍尔电压与控制电流成反比。
