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下列组合中,在背散射电子像中衬度最大的是
选项:
A:O-Al
B:Si-Al
C:W-Al
D:Pb-W
散射
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发布时间:
2024-06-03 11:05:59
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1.
下列组合中,在背散射电子像中衬度最大的是( ) 选项: A:O-Al B:Si-Al C:Pb-W D:W-Al
2.
吸收电子像衬度和背散射电子像衬度均为原子序数衬度,且二者像衬度相同。( )选项: A:对 B:错
3.
原子序数差异越大,背散射电子衬度像越好。()
4.
背散射电子像的衬度取决于微区原子序数的差异程度。()
5.
二次电子像的衬度是最典型的()。 选项: A、衍射衬度 B、形貌衬度 C、原子序数衬度 D、质厚衬度
6.
二次电子像的衬度是最典型的形貌衬度。选项: A:对 B:错
7.
二次电子像衬度特点?
8.
二次电子像衬度最亮的区域是
9.
二次电子像的衬度主要来源于原子序数衬度。
10.
二次电子像的衬度主要来源于原子序数衬度。选项: A:对 B:错
11.
二次电子像和背散射电子像在显示表面形貌衬度时有何相同与不同之处?答:二次电子像:1)凸出的尖棱,小粒子以及比较陡的斜面处SE产额较多,在荧光屏上这部分的亮度较大。2)平面上的SE产额较小,亮度较低。3)在深凹槽底部尽管能产生较多二次电子,使其不易被控制到,因此相应衬度也较暗。背散射电子像:1)用BE进行形貌分析时,其分辨率远比SE像低。2)BE能量高,以直线轨迹逸出样品表面,对于背向检测器的样品表面,因检测器无法收集到BE而变成一片阴影,因此,其图象衬度很强,衬度太大会失去细节的层次,不利于分析。因此,BE形貌分析效果远不及SE,故一般不用BE信号。
12.
背散射电子的产率随着原子序数的增加而( ),因而在背散射电子像中亮的部位是原子序数大的元素。
13.
背散射电子的产率随着原子序数的增加而( ),因而在背散射电子像中亮的部位是原子序数大的元素。
14.
背散射电子的产率随着原子序数的增加而( ),因而在背散射电子像中亮的部位是原子序数大的元素。
15.
背散射电子像中更亮的区域代表样品中对应的部位原子序数更大 选项: A:正确 B:错误
16.
二次电子形貌衬度的最大用途是
17.
(判断题, 1分)背散射电子像中更亮的区域代表样品中对应的部位原子序数更大。 选项: A:正确 B:错误
18.
在电子显微分析中,电子束照射轻元素样品,在产生的俄歇电子信号、二次电子信号、背散射电子信号及X射线信号中,点分辨率最高的信号是() 选项: A、二次电子信号 B、背散射电子信号 C、X射线信号 D、俄歇电子信号
19.
背散射电子像可以反映不同原子序数的成分分布特征。选项: A:正确; B:错误
20.
二次电子像衬度最亮的表面区域是( )。A.法线与电子束成66°的表面B.法线与电子束成0°的表面C.法线与电子束成36°的表面D.法线与电子束成86°的表面
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