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本征吸收的前提是半导体吸收的光子能量大于其禁带宽度。
半导体
吸收
光子
发布时间:
2024-06-04 19:24:35
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1.
材料的禁带宽度,最大的是()A、金属;B、杂质半导体;C、绝缘体;D、本征半导体;
2.
不会影响半导体本征载流子浓度的因素是禁带宽度选项: A:正确; B:错误
3.
宽禁带半导体材料的禁带宽度是()
4.
如下所述,有关新型半导体器件,表述正确的是:选项: A:集成门极换流晶闸管简称IGCT。; B:金属的禁带宽度比宽禁带半导体材料宽。; C:绝缘体的禁带宽度比宽禁带半导体材料窄。; D:半导体的禁带宽度比金属的禁带宽度窄。
5.
关于本征半导体,下列说法哪些是正确的?选项: A:本征半导体的载流子浓度来源于本征激发; B:本征半导体,电子浓度等于空穴浓度; C:本征半导体的载流子浓度与温度无关; D:一定温度下,半导体的禁带宽度越大,本征载流子浓度越小
6.
不会影响半导体本征载流子浓度的因素是选项: A:温度; B:杂质浓度; C:半导体的材料种类; D:半导体的禁带宽度
7.
半导体材料砷化镓GaAs的本征吸收长波限为873nm,则GaAs的禁带宽度为( )选项: A:1.42J; B:1.42eV; C:1.42E-3 J; D:1.42E-3 eV
8.
以下关于半导体能带特征描述正确的是()选项: A:室温下,硅的禁带宽度约为1.12eV,是直接带隙半导体; B:室温下,锗的禁带宽度约为0.67eV,是直接带隙半导体; C:室温下,砷化镓的禁带宽度约为1.12eV,是直接带隙半导体; D:室温下,硅的禁带宽度约为1.12eV,是间接带隙半导体
9.
物质吸收或发射的能量是连续的,其能量的最小单位是光子。( )选项: A:对 B:错
10.
半导体的带隙大小为Eg,光照可以激发价带的电子到导带,这个过程称为本征光吸收。选项: A:正确; B:错误
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