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随着温度的升高,半导体中载流子的浓度会增加.•
体中
升高
载流子
发布时间:
2024-04-12 16:27:22
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1.
在P型半导体中,当温度升高时,自由电子浓度会增加,而空穴浓度保持不变。
2.
在P型半导体中,当温度升高时,自由电子浓度会增加,而空穴浓度保持不变。选项: A:错 B:对
3.
在P型半导体中,当温度升高时,自由电子浓度会增加,而空穴浓度保持不变。选项: A:对 B:错
4.
杂质半导体中少数载流子浓度()。 选项: A、小于本征半导体载流子浓度 B、小于等于本征半导体载流子浓度 C、大于本征半导体载流子浓度 D、等于本征半导体载流子浓度
5.
关于本征半导体,下列说法哪些是正确的?选项: A:本征半导体的载流子浓度来源于本征激发; B:本征半导体,电子浓度等于空穴浓度; C:本征半导体的载流子浓度与温度无关; D:一定温度下,半导体的禁带宽度越大,本征载流子浓度越小
6.
杂质半导体中,的浓度对温度敏感。 选项: A、多数载流子 B、 少数载流子 C、 杂质离子 D、 空穴
7.
杂质半导体的少数载流子随温度升高其数量( )。
8.
随着温度的升高半导体的电阻会增大 选项: A:正确 B:错误
9.
杂质半导体中的少数载流子浓度_____本征载流子浓度
10.
杂质半导体中多数载流子浓度主要取决于________。 选项: A、 温度 B、 半导体材料 C、 掺入杂质浓度 D、 制造工艺
11.
以下说法不正确的是( )。选项: A:对n型半导体,随着施主浓度ND的增加,费米能级EF从禁带中线逐渐向导带底方向靠近。; B:对p型半导体,随着受主浓度NA的增加,费米能级EF从禁带中线逐渐向价带顶方向靠近。; C:杂质半导体中载流子浓度和费米能级EF的位置由杂质浓度所决定,与温度无关。; D:在杂质半导体中,费米能级EF的位置不但反映了半导体的导电类型,而且还反映了半导体的掺杂水平。
12.
随着温度的升高,液压油的粘度会( ),( )会增加。
13.
杂质半导体中的少数载流子浓度( )奉征半导体中载流子浓度。 选项: A、大于 B、小于 C、等于 D、大于等于
14.
杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( )。选项: A:温度 ; B:掺杂浓度 ; C:晶体材料 ; D:杂质类型
15.
不会影响半导体本征载流子浓度的因素是选项: A:温度; B:杂质浓度; C:半导体的材料种类; D:半导体的禁带宽度
16.
半导体中的载流子浓度与自身( )无关。A.温度 B.光照 C.体积 D.参杂
17.
杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于选项: A:温度; B:掺杂工艺; C:掺杂浓度; D:晶格缺陷
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