已知MgO多晶材料中Mg2+离子的本征扩散的活化能为486kJ/mol，非本征扩散的活化能为254.5kJ/mol，则：（1）求出MgO的肖特基缺陷形成能；（2）若欲使Mg2+在MgO中的扩散直至MgO的熔点2800℃时仍为非本征扩散，试求三价杂质离子的浓度。
发布时间：2024-06-15 20:56:31
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- 1.已知CaO的肖特基缺陷生成能为6ev，欲使Ca2+在CaO中的扩散直至CaO的熔点（2600℃）都是非本征扩散，要求三价杂质离子的浓度是多少？（ ）选项： A:3.09×10-11 B:5.5×10-6 C:1.1×10-5 D:6.18×10-11
- 2.在离子型材料中,由热缺陷所引起的扩散称本征扩散,而掺杂点缺陷引起的扩散称为( ) 选项： A、自扩散 B、互扩散 C、无序扩散 D、非本征扩散
- 3.2、(a)Mgo晶体中,肖特基缺陷的生成能为6eV,计算在25°C和1600·时热缺陷的浓度。(b)如果MgO晶体中,含有×106mol1的Al2O3杂质,则在1600℃时,MgO晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势,说明原因。(15分
- 4.(a)在MgO晶体中,肖特基缺陷的生成能为6eV,计算在25℃和1600℃时热缺陷的浓度。 (b)如果MgO晶体中,含有百万分之一mol的Al2O3杂质,则在1600℃时,MgO晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势说明原因。
- 5.在MgO晶体中，肖特基缺陷的生成能为6ev，且MgO晶体中，含有百万分之一mol的Al2O3杂质，则在1600℃时，MgO晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势( )选项： A:杂质缺陷 B:相等 C:热缺陷 D:无法计算
- 6.（1）在MgO晶体中，肖特基缺陷的生成能为6ev，计算在25℃和1600℃时热缺陷的浓度；（2）如果MgO晶体中，含有百万分之一的Al2O3杂质，则在1600℃时，MgO晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势？请说明原因。
- 7.某物质在800℃时，扩散系数为10-10cm2/s，在1200℃时为10-4 cm2/s，则该物质的扩散活化能为__kJ/mol。
- 8.已知BaO, SrO, CaO和MgO同为NaCl型离子晶体,推测熔点最高的为( ) 选项： A、BaO B、SrO C、CaO D、MgO
- 9.MgO的熔点比NaCl的熔点高，是因为 （ ） 选项：A、MgO分子间力大 B、MgO晶格能大 C、MgO分子量小 D、MgO核间距小
- 10.在离子晶体NaCl、MgO、CaO、BaO中，熔点最高的是（）。
