已知MgO多晶材料中Mg2+离子的本征扩散的活化能为486kJ/mol,非本征扩散的活化能为254.5kJ/mol,则:(1)求出MgO的肖特基缺陷形成能;(2)若欲使Mg2+在MgO中的扩散直至MgO的熔点2800℃时仍为非本征扩散,试求三价杂质离子的浓度。
发布时间:2024-06-15 20:56:31
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