对IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较正确的是( )。选项: A:IGBT的开关速度低于电力MOSFET,电压,电流容量不及GTO B:GTR的开关速度高,驱动电路复杂,存在二次击穿问题 C:GTO的电压、电流容量大,但其关断增益也很大 D:电力MOSFET的开关速度最快,但驱动电路比较复杂 优缺点 容量大 比较复杂 发布时间:2024-06-22 13:29:02