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本征半导体材料的霍尔系数RH为0(假定电子和空穴的迁移率相同)。( )
选项:
A:对
B:错
半导体
假定
空穴
发布时间:
2024-06-15 21:00:32
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1.
本征半导体材料的霍尔系数RH为0(假定电子和空穴的迁移率相同)。( )
2.
在半导体材料中,本征半导体的自由电子浓度等于空穴的浓度选项: A:对 B:错
3.
在半导体材料中,本征半导体的自由电子浓度等于空穴的浓度选项: A:错 B:对
4.
同种半导体材料在相同温度下电子的迁移率比空穴的迁移率小。
5.
制造霍尔元件的半导体材料中,用的较多的有锗、锑化铟、砷化铟、其原因是这些 选项: A、半导体材料的霍尔常数比金属大 B、半导体材料电子迁移率比空穴高 C、半导体材料的电子迁移率比较大 D、N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件
6.
制造霍尔元件的半导体材料中,目前应用较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些( )。 选项: A、半导体材料的霍尔常数比金属大 B、半导体中电子的迁移率比空穴高 C、半导体材料的电子迁移率比较大 D、N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件
7.
制造霍尔元件的半导体材料中,目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是选项: A:N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件; B:半导体材料的电子迁移率比较大 ; C:半导体中电子迁移率比空穴高; D:半导体材料的霍尔常数比金属的大
8.
制造霍尔元件的半导体材料中,目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些( )。 选项: A、半导体材料的霍尔常数比金属的大。 B、 半导体中电子迁移率比空穴多。 C、 半导体材料的电子迁移率比较大。 D、 N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件。
9.
制造霍尔元件的半导体材料中,使用较多的是锗、锑化铟、砷化铟,原因是 选项: A:半导体的霍尔常数比金属的大 B:半导体中电子迁移率比较大 C:半导体中电子的迁移率比空穴高 D:N型半导体材料较适宜做灵敏度高的霍尔元件
10.
本征半导体的载流子为自由电子和空穴。( )
11.
如果对某试样测得的霍尔系数RH为负值,则其电导载流子为空穴。( )选项: A:对 B:错
12.
为什么制备霍尔元件的材料通常是半导体而不是金属 选项: A、半导体的霍尔系数较小 B、半导体的霍尔系数较大 C、金属不会产生霍尔效应 D、半导体迁移率较小
13.
本征半导体中自由电子和空穴的浓度相等
14.
不管温度有多高,本征半导体中自由电子的浓度等于空穴的浓度。 选项:A、对 B、错
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