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杂质半导体中其掺杂浓度远大于本征半导体的载流子浓度。
选项:
A:正确;
B:错误
半导体
浓度
载流子
发布时间:
2024-03-30 08:19:42
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1.
杂质半导体中的少数载流子浓度大于本征半导体中的载流子浓度。( ) 选项: A:正确 B:错误
2.
关于杂质半导体,说法正确的是 选项: A、掺杂的作用时改变半导体的载流子浓度,使半导体导电能力增强 B、 N型半导体是掺入了受主杂质的半导体 C、P型半导体主要依靠空穴导电 D、杂质半导体中载流子的浓度需同时考虑杂质激发和本征激发
3.
关于本征半导体,下列说法哪些是正确的?选项: A:本征半导体的载流子浓度来源于本征激发; B:本征半导体,电子浓度等于空穴浓度; C:本征半导体的载流子浓度与温度无关; D:一定温度下,半导体的禁带宽度越大,本征载流子浓度越小
4.
杂质半导体中的少数载流子浓度( )奉征半导体中载流子浓度。 选项: A、大于 B、小于 C、等于 D、大于等于
5.
以下哪种情况下,半导体为N型的?选项: A:本征半导体中掺入施主杂质。; B:本征半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度大于受主浓度。; C:本征半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度小于受主浓度。; D:本征半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度等于受主浓度。; E:本征半导体中掺入受主杂质。
6.
杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( )。 选项: A、温度 B、掺杂工艺 C、掺杂浓度 D、掺杂工艺
7.
杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于选项: A:温度; B:掺杂工艺; C:掺杂浓度; D:晶格缺陷
8.
P型半导体中的多数载流子是();N型半导体中的多数载流子是();杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()[掺杂的浓度,温度]半导体材料中的载流子浓度越高,材料的导电性能越()[好,差]
9.
在杂质半导体中多数载流子的数量主要与( )有关。选项: A:掺杂浓度 B:温度 C:半导体材料类型 D:杂质材料类型
10.
在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( )。选项: A:温度 B:掺杂工艺 C:杂质浓度 D:光照
11.
在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( )。 选项: A:温度 B:杂质浓度 C:掺杂工艺的类型 D:湿度
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