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热门标签: 阈值电压
方波和矩形波输出电压的幅值取决于 。选项: A:延迟时间; B:比较器的输出电压; C:比较器的阈值电压; D:振荡频率
方波和矩形波输出电压的幅值取决于比较器的( )。选项: A:阈值电压 ; B:输出电压; C:门限电压; D:其他选项都不对
方波和矩形波输出电压的幅值取决于比较器的( )。选项: A:阈值电压 B:输出电压 C:输入电压 D:不确定
下列关于阈值电压的说法,不正确的是()
使用稳压二极管稳压的电路中,利用的是稳压二极管()的特性。选项: A:反向击穿电压附近; B:稍大于导通电压附近; C:阈值电压附近; D:正向击穿电压附近
使用稳压二极管稳压的电路中,利用的是稳压二极管()的特性。选项: A:阈值电压附近; B:反向击穿电压附近; C:稍大于导通电压附近; D:正向击穿电压附近
假设NMOS晶体管栅源电压大于阈值电压。当漏源电压VDS等于饱和电压VDSsat时,导电沟道靠近漏极处开始出现夹断。如果VDS继续增大,夹断点移向源极侧,沟道有效长度变短。选项: A:正确; B:错误
关于液晶器件的特性测量,正确的有?选项: A:通过偏光显微镜,可以查看加偏压后的织构和光强变化。; B:测量液晶器件的电光特性时,起偏和检偏的偏振片的偏振方向互相平行。; C:通过电光特性测量,可以得到阈值电压和关断电压。; D:液晶器件的时间响应特性主要由电压的时间响应特性决定。
短沟道MOSFET发生沟道载流子速度饱和之后,会出现哪些现象:( )。选项: A:饱和漏源电压正比于沟道长度 L; B:阈值电压随L 的缩短而减小; C:饱和漏极电流与沟道长度L无关; D:跨导与沟道长度 L 不再有关
短沟道MOSFET发生沟道载流子速度饱和之后,会出现哪些现象:( )。选项: A:饱和漏源电压正比于沟道长度 L; B:阈值电压随L 的缩短而减小; C:饱和漏极电流与沟道长度L无关; D:跨导与沟道长度 L 不再有关
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