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下列哪种材料是直接带隙半导体材料( )
A:Si
B:Ge
C:GaAs
哪种
半导体
材料
发布时间:
2024-06-15 21:39:00
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1.
硅是间接带隙半导体材料、GaAs和CdTe均是直接带隙材料
2.
要使LED发光,有源层的半导体材料必须是直接带隙材料。( ) 选项: A、对 B、错
3.
要使LED发光,有源层的半导体材料必须是直接带隙材料。( )选项: A:对 B:错
4.
下列半导体材料中,属于直接带隙半导体的是( )。 A: 硅 B: 锗 C: 砷化镓 D: 磷化镓
5.
铜铟镓硒材料是一种( )带隙半导体。(填“直接”或“间接”)
6.
在通常情况下,GaN是直接带隙半导体材料。 ( )选项: A:对 B:错
7.
硅是一种( )带隙的半导体材料。
8.
已知半导体材料GaAs的带隙Eg=1.43eV,则由该材料组成的半导体材料的发射波长是 微米。
9.
制作发光器件的主要材料是: 选项: A、Si B、Ge C、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 D、间接带隙半导体材料
10.
GaN 是间接带隙半导体发光材料。A.正确B.错误
11.
砷化镓薄膜太阳电池所使用的吸收层材料为 接带隙半导体材料。
12.
降低高能光子能量损失应采用高带隙的光电半导体材料。 选项: A:正确 B:错误
13.
GaN材料作为直接带隙,可以制备成蓝光发光器件。
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