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在CaF2晶体中,弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV,肖特基缺陷的生成能为5.5eV,计算在1600℃时热缺陷的浓度?()
浓度
弗兰克
肖特
发布时间:
2023-09-08 10:22:00
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1.
在CaF2晶体中,弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV,肖特基缺陷的生成能为5.5eV,计算在1600℃时热缺陷的浓度? ( )A.1.33×10-31B.2.21×10-24C.1.72×10-4D.1.41×10-5
2.
在CaF2晶体中,弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV,肖特基缺陷的生成能为5.5eV,计算在1600℃时热缺陷的浓度? ( )选项: A:2.21×10-24 B:1.33×10-31 C:1.72×10-4 D:1.41×10-5
3.
在CaF2晶体中,弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV,肖特基缺陷的生成能为5.5eV,计算在25℃时热缺陷的浓度? ( ) A: 2.21×10-24 B: 1.33×10-31 C: 1.72×10-4 D: 1.41×10-5
4.
在CaF2晶体中,弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV,肖特基缺陷的生成能为5.5eV,计算在25℃时热缺陷的浓度? ( ) 选项: A、2.21×10-24 B、1.33×10-31 C、1.72×10-4 D、1.41×10-5
5.
在CaF2晶体中,弗伦克尔缺陷形成能为2.8ev,肖特基缺陷生成能为5.5ev,①请写出肖特基缺陷和弗伦克尔缺陷的缺陷化学方程式。(5)②、计算在25℃和1600℃时,CaF2晶体中这两种缺陷的浓度分为多少?(8)(玻尔兹曼常数k=1.38×10-23j/k、1ev=1.6×10--19J)
6.
在CaF2晶体中,弗伦克尔缺陷的形成能为2.8eV,肖特基缺陷形成能为5.5eV,若该晶体中还含有百万分之一的YF3杂质,则在1600度时,占优势的缺陷为杂质缺陷。选项: A:正确; B:错误
7.
在CaF2晶体中,肖特基缺陷的生成能为5.5ev,计算在1600℃时热缺陷的浓度。如果CaF2晶体中,含有百万分之一的YF3 杂质,则在1600℃时CaF2晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势?(玻尔兹曼常数k=1.38×10-23、电子的电荷e=1.602×10-19)
8.
在Al2O3晶体中,弗伦克尔缺陷的形成能为5.5eV,肖特基缺陷形成能为2.8eV,若该晶体中还含有百万分之一的ZrO2杂质,则在1600度时,占优势的缺陷为热缺陷。
9.
在Al2O3晶体中,弗伦克尔缺陷的形成能为5.5eV,肖特基缺陷形成能为2.8eV,若该晶体中还含有百万分之一的ZrO2杂质,则在1600度时,占优势的缺陷为热缺陷。 选项: A、正确 B、错误
10.
(a)在MgO晶体中,肖特基缺陷的生成能为6eV,计算在25℃和1600℃时热缺陷的浓度。 (b)如果MgO晶体中,含有百万分之一mol的Al2O3杂质,则在1600℃时,MgO晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势说明原因。
11.
(1)在MgO晶体中,肖特基缺陷的生成能为6ev,计算在25℃和1600℃时热缺陷的浓度;(2)如果MgO晶体中,含有百万分之一的Al2O3杂质,则在1600℃时,MgO晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势?请说明原因。
12.
在MgO晶体中,肖特基缺陷的生成能为6ev,且MgO晶体中,含有百万分之一mol的Al2O3杂质,则在1600℃时,MgO晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势( )选项: A:热缺陷 B:杂质缺陷 C:相等 D:无法计算
13.
MgO晶体在25℃时热缺陷浓度为()。(肖特基缺陷生成能为6ev,1ev=1.6×10
-15
J,k=1.38×10
-23
J/K)
14.
若在NaCl晶体中,含有0.0002 mol的CaCl2杂质,则在800度时,NaCl晶体中占优势的缺陷是 ?已知在NaCl晶体中,肖特基缺陷的形成能为2.4eV。
15.
在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子,这样的缺陷称为( )。 选项: A、层错 B、肖特基缺陷 C、弗兰克尔缺陷 D、线缺陷
16.
测定某单质晶体的弗伦克尔缺陷生成能为8ev,则该晶体在1600K时的缺陷浓度为( )。选项: A:2.489×10-9; B:2.489×10-11; C:2.489×10-13; D:2.489×10-15
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