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在杂质半导体中多数载流子的数量主要与( )有关。
选项:
A:掺杂浓度
B:温度
C:半导体材料类型
D:杂质材料类型
半导体
杂质
载流子
发布时间:
2024-03-30 08:19:42
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1.
在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 。选项: A:温度; B:杂质浓度; C:杂质类型; D:I型半导体
2.
杂质半导体中多数载流子浓度主要取决于________。 选项: A、 温度 B、 半导体材料 C、 掺入杂质浓度 D、 制造工艺
3.
在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于____。 选项:温度|掺杂工艺|杂质浓度
4.
杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。 选项: A、杂质浓度 B、 温度 C、 两端电压 D、 半导体材料
5.
在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于____选项: A:温度; B:杂质浓度; C:掺杂工艺; D:无
6.
杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷
7.
杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( )。 选项: A、温度 B、掺杂工艺 C、掺杂浓度 D、掺杂工艺
8.
杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于( )。选项: A:温度 B:掺杂工艺 C:掺杂浓度 D:晶体缺陷
9.
杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于( )。 选项: A: 温度 B: 掺杂工艺 C: 掺杂浓度 D: 晶体缺陷
10.
杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( )。选项: A:掺杂工艺 C.掺杂浓度 D.晶格缺陷; B:温度; C:掺杂浓度 ; D:晶格缺陷
11.
关于杂质半导体,说法正确的是 选项: A、掺杂的作用时改变半导体的载流子浓度,使半导体导电能力增强 B、 N型半导体是掺入了受主杂质的半导体 C、P型半导体主要依靠空穴导电 D、杂质半导体中载流子的浓度需同时考虑杂质激发和本征激发
12.
杂质半导体导电性能主要由以下哪个因素决定( )。 选项: A、 半导体材料 B、 杂质元素的种类 C、 杂质半导体的类型 D、 杂质浓度
13.
不会影响半导体本征载流子浓度的因素是选项: A:温度; B:杂质浓度; C:半导体的材料种类; D:半导体的禁带宽度
14.
杂质半导体中其掺杂浓度远大于本征半导体的载流子浓度。选项: A:正确; B:错误
15.
已知杂质半导体中的多数载流子为电子,则该杂质半导体为;多数载流子为空穴,则该杂质半导体为。
16.
N型半导体掺杂的杂质是(),其多数载流子是(),其少数载流子是()
17.
杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( )
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