已知室温(300K)下硅的禁带宽度Eg eV,价带顶空穴和导带底电子的有效质量之比mp/mn,导带的有效状态密度NC1019/cm3, kT eV,。试计算:1)室温(300K)下,纯净单晶硅的本征费米能级Ei;2)室温(300K)下,掺磷浓度为1018/cm3的n型单晶硅的费米能级EF 。@
发布时间:2024-06-15 20:52:10
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