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- 1.随着温度的升高,P型半导体的费米能() 选项： A:从导带底部能级向禁带中央变化 B:从导带顶部能级向禁带中央变化 C:从价带顶部能级向禁带中央变化 D:从价带底部能级向禁带中央变化
- 2.对于p型半导体，费米能级随受主杂质掺杂浓度的变化情况为?A．费米能级随掺杂浓度的增加向 价带顶 移动B．费米能级随掺杂浓度的增加向 导带底 移动C．费米能级随掺杂浓度的增加向 禁带中线 移动D．费米能级随掺杂浓度的增加向 施主能级 移动
- 3.随着温度的升高，p型半导体的费米能（ ）。选项： A:从导带底部能级向禁带中央变化; B:从导带顶部能级向禁带中央变化; C:从价带顶部能级向禁带中央变化; D:从价带底部能级向禁带中央变化
- 4.以下说法正确的是()选项： A:施主能级被电子占据时呈电中性; B:受主能级被电子占据时呈电中性; C:P型半导体的费米能级略低于导带底部; D:N型半导体的费米能级略高于价带顶部
- 5.p型半导体的受主能级，在能级结构中处于选项： A:满带中; B:导带中; C:禁带中，接近导带底部。; D:禁带中，接近满带顶部。
- 6.当导带中电子浓度超过了状态密度Nc时，费米能级位于导带内部，称为( )选项： A:n型简并半导体; B:P型简并半导体; C:本征半导体; D:热平衡半导体
- 7.本征半导体的特点是（）选项： A:电子和空穴浓度相等; B:电子和空穴浓度不相等; C:费米能级处于导带底和价带顶的中间; D:费米能级处于价带底和导带顶的中间。
- 8.已知Si中掺有硼杂质，且掺杂浓度为1017/cm3，则这是 型半导体，该半导体的费米能级在禁带中线的 选项： A:N，上方; B:P，上方; C:P，下方; D:N ，下方
- 9.已知Si中掺有硼杂质，且掺杂浓度为1017/cm3，则这是 型半导体，该半导体的费米能级在禁带中线的 选项： A、N，上方 B、P，上方 C、P，下方 D、N ，下方
- 10.对于N型半导体,随着掺杂浓度增大,费米能级()
- 11.关于简并半导体的说法,正确的是:（ ）。 选项： A、服从费米统计率的电子系统是非简并系统 B、当掺杂水平很高,ND(NA)很大,使半导体的费米能级EF进入导带(价带),不再用玻尔兹曼分布描述导带电子(价带空穴)的分布,这种情况称为载流子的简并化,发生载流子简并化的半导体叫做简并半导体。 C、若EF进入了导带,说明P型杂质掺杂水平很高,以及导带底附近的量子态基本被电子占据。 D、若EF进入了价带,说明N型杂质掺杂水平很高,以及价带顶附近的量子态基本被空穴占据。
- 12. 下列关于外光电效应表述正确的是：选项： A:对于本征半导体，电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙与电子亲和势的能量之和；; B:对于本征半导体，电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙的能量；; C:对于N型半导体，电子从施主能级跃迁到导带所需的最小能量为导带底与施主能级的能量之差；; D:对于P型掺杂半导体，电子从价带跃迁到受主能级所需的最小能量为受主能级与价带顶的能量之差。
- 13.已知室温(300K)下硅的禁带宽度Eg eV,价带顶空穴和导带底电子的有效质量之比mp/mn,导带的有效状态密度NC1019/cm3, kT eV,。试计算:1)室温(300K)下,纯净单晶硅的本征费米能级Ei;2)室温(300K)下,掺磷浓度为1018/cm3的n型单晶硅的费米能级EF 。@
- 14.半导体量子点与其体材的能带有所不同：选项： A:禁带宽度展宽了; B:禁带宽度缩小了; C:禁带宽度不变; D:导带为分立能级; E:导带、价带均为连续能级; F:导带、价带均为分立能级
- 15.以下对p型衬底的MIS结构的临界强反型状态描述错误的是（ ） 选项： A、表面处费米能级与本征费米能级重合 B、表面处费米能级处于本征费米能级与导带底能级的中央 C、表面处费米能级与本征费米能级之差与体内处本征费米能级与费米能级之差相等 D、表面势等于费米势的两倍 E、表面反型电子浓度等于体内空穴浓度
- 16.当温度一定时，杂质半导体的费米能级主要由什么因素决定？试把强n，弱n型半导体与强p，弱p半导体的费米能级与本征半导体的费米能级比较。
- 17.已知室温(300K)下硅的禁带宽度 Eg1.12 eV,价带顶空穴和导带底电子的有效质量之比 mp/mn0.55,导带的有效状态密度 NC2.81019/cm3, kT0.026eV,。试计算:1)室温(300K)下,纯净单晶硅的本征费米能级 Ei;2)室温(300K)下,掺磷浓度为 1018/cm3 的 n 型单晶硅的费米能级 EF 。
- 18.n型半导体导带的有效状态密度 Nc=1.0×1019/cm3, 施主原子的浓度为ND=1.0×1021/cm3,导带的最低能级为1.10 eV，施主原子的局域能级为1.00 eV，求该n型半导体导带中的电子浓度和费米能级，k=8.6×10-5eV/K，T=300K，假定价带顶的能级为0.0 eV。（ ） 选项： A、1.44×1019/cm3 , 0.56eV B、2.37×1019/cm3 , 0.44eV C、2.37×1019/cm3 , 0.56eV D、1.44×1019/cm3 , 0.44eV
- 19.Au在Si半导体中是有效的复合中心，既能起施主作用，又能起受主作用。但是在n型Si中，只有（ ）起作用选项： A:施主能级; B:受主能级; C:禁带中央能级; D:费米能级
- 20.已知室温(300K)下硅的禁带宽度 Eg1.12 eV,价带顶空穴和导带底电子的⏺⏺有效质量之比m* / mn 0.5519 3⏺⏺kT 0.026eV 。试计算:1)室温(300K)下,纯净单晶硅的本征费米能级 Ei;2)室温(300K)下,掺磷浓度为 1016/cm3 的 n 型单晶硅的费米能级 EF。
- 21.硅晶体中的费米能级向高能级移动，可能对应以下情况发生选项： A:导带电子浓度增加 B:价带空穴浓度增加 C:导带有效态密度Nc减少 D:导带有效态密度Nc增加
- 22.n型半导体导带的有效状态密度 Nc=1.0×1019/cm3, 施主原子的浓度为ND=1.0×1021/cm3,导带的最低能级为1.10 eV，施主原子的局域能级为1.00 eV，求该n型半导体导带中的电子浓度和费米能级，k=8.6×10-5eV/K，T=300K，假定价带顶的能级为0.0 eV。（ ）选项： A:1.44×1019/cm3 , 0.56eV B:2.37×1019/cm3 , 0.44eV C:2.37×1019/cm3 , 0.56eV D:1.44×1019/cm3 , 0.44Ev
