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- 1. p型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称受主能级)，在能带结构中应处于选项： A:禁带中，但接近满带顶 B:禁带中，但接近导带底 C:导带中 D:满带中 满带中
- 2.随着温度的升高，p型半导体的费米能( ) 选项： A、从导带底部能级向禁带中央变化 B、从导带顶部能级向禁带中央变化 C、从价带顶部能级向禁带中央变化 D、从价带底部能级向禁带中央变化
- 3.在一个能带中，部分能级被电子所占据。这种能带中的电子具有导电性，称为： 选项： A、价带 B、禁带 C、导带 D、满带
- 4.晶体中没有被电子占满的能带叫做 。 选项： A: 价带 B: 导带 C: 禁带39 D: 满带
- 5.硅晶体中掺入硼原子，会引入杂质能级，该能级是 ，离 近。（ ）? 施主能级，导带底|施主能级，价带顶|受主能级，导带底|受主能级，价带顶
- 6.硅晶体中掺入硼原子，会引入杂质能级，该能级是 ，离 近。（ ）选项： A:施主能级，导带底; B:施主能级，价带顶; C:受主能级，导带底; D:受主能级，价带顶
- 7.下列属于导带的是： 选项： A、空带 B、满带 C、禁带 D、不满带
- 8.下列描述丙烷在半导体上吸附过程正确的是（ ） 选项： A、丙烯在n型半导体上化学吸附时，丙烯中电子转移到导带中 B、丙烯在p型半导体上化学吸附时，丙烯中电子转移到禁带中 C、丙烯在n型半导体上化学吸附时，丙烯中电子转移到满带的空穴中 D、丙烯在p型半导体上化学吸附时，丙烯中电子转移到导带中
- 9.Au在Si半导体中是有效的复合中心，既能起施主作用，又能起受主作用。但是在n型Si中，只有（ ）起作用选项： A:施主能级; B:受主能级; C:禁带中央能级; D:费米能级
- 10.以下材料属于导体的是：选项： A:价带未填满 ; B:满的价带与空的导带间的禁带宽 ; C:满带与空带重叠 ; D:满的价带与空的导带间的禁带较小
- 11. 下列关于外光电效应表述正确的是：选项： A:对于本征半导体，电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙与电子亲和势的能量之和；; B:对于本征半导体，电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙的能量；; C:对于N型半导体，电子从施主能级跃迁到导带所需的最小能量为导带底与施主能级的能量之差；; D:对于P型掺杂半导体，电子从价带跃迁到受主能级所需的最小能量为受主能级与价带顶的能量之差。
- 12.半导体中载流子电子浓度等于（ ） 选项：导带量子态密度乘以电子占据能级的概率|导带量子态密度乘以电子占据能级的概率并在导带积分的结果|导带量子态密度乘以电子占据能级的概率除以晶体体积|B的结果除以晶体体积
- 13.半导体中载流子电子浓度等于（ ） 选项：A、导带量子态密度乘以电子占据能级的概率 B、导带量子态密度乘以电子占据能级的概率并在导带积分的结果 C、导带量子态密度乘以电子占据能级的概率除以晶体体积 D、B的结果除以晶体体积
- 14.在满带之上，能量较高，且可以是部分填充电子或全空的能带（ ）。 选项： A:价带 B:导带 C:禁带 D:空带
- 15.以下说法不正确的是（ ）。选项： A:对n型半导体，随着施主浓度ND的增加，费米能级EF从禁带中线逐渐向导带底方向靠近。; B:对p型半导体，随着受主浓度NA的增加，费米能级EF从禁带中线逐渐向价带顶方向靠近。; C:杂质半导体中载流子浓度和费米能级EF的位置由杂质浓度所决定，与温度无关。; D:在杂质半导体中，费米能级EF的位置不但反映了半导体的导电类型，而且还反映了半导体的掺杂水平。
- 16.以下说法正确的是()选项： A:施主能级被电子占据时呈电中性; B:受主能级被电子占据时呈电中性; C:P型半导体的费米能级略低于导带底部; D:N型半导体的费米能级略高于价带顶部
- 17.与绝缘体比较，半导体能带结构的特点是选项： A:满带与导带重合; B:禁带宽度较宽; C:禁带宽度较窄; D:以上都是错的
- 18.下列关于n型半导体和p型半导体区别描述正确的有（ ） 选项： A、n型半导体在施主能级上的自由电子，很容易激发到导带中，产生自由电子导电 B、含有过量金属原子的非化学计量化合物可生成n型半导体 C、p型半导体在受主能级上有空穴存在，很容易接受满带中跃迁的电子，使满带产生正电空穴，并进行空穴导电 D、p型半导体有利于氧的吸附，有利于深度氧化反应，是活泼的氧化催化剂
