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与绝缘体比较,半导体能带结构的特点是
选项:
A:满带与导带重合;
B:禁带宽度较宽;
C:禁带宽度较窄;
D:以上都是错的
半导体
以上
绝缘体
发布时间:
2024-05-14 19:35:50
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相关试题
1.
根据能带理论,绝缘体有满带和空带,且禁带宽度大;半导体有满带和空带,但禁带宽度较窄? 错误正确
2.
根据能带理论,绝缘体有满带和空带,且禁带宽度大;半导体有满带和空带,但禁带宽度较窄? 正确|错误
3.
绝缘体的导电性差,是因为选项: A:价带为满带; B:禁带宽度大; C:禁带宽度小; D:价带为导带
4.
如下所述,有关新型半导体器件,表述正确的是:选项: A:集成门极换流晶闸管简称IGCT。; B:金属的禁带宽度比宽禁带半导体材料宽。; C:绝缘体的禁带宽度比宽禁带半导体材料窄。; D:半导体的禁带宽度比金属的禁带宽度窄。
5.
p型半导体的受主能级,在能级结构中处于选项: A:满带中; B:导带中; C:禁带中,接近导带底部。; D:禁带中,接近满带顶部。
6.
以下关于半导体能带特征描述正确的是()选项: A:室温下,硅的禁带宽度约为1.12eV,是直接带隙半导体; B:室温下,锗的禁带宽度约为0.67eV,是直接带隙半导体; C:室温下,砷化镓的禁带宽度约为1.12eV,是直接带隙半导体; D:室温下,硅的禁带宽度约为1.12eV,是间接带隙半导体
7.
禁带宽度(能隙、带隙)是导带底与价带顶能量之差。
8.
下列关于PN结的能带的说法,错误的是 ( )。 选项: A: 能量低的能带称为价带 B: 能量高的能带称为导带 C: 禁带宽度是导带底能量和价带顶的能量差 D: 电子可以占据禁带
9.
以下材料属于导体的是:选项: A:价带未填满 ; B:满的价带与空的导带间的禁带宽 ; C:满带与空带重叠 ; D:满的价带与空的导带间的禁带较小
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