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- 1.对于p型半导体,费米能级随掺杂浓度的变化情况为: 选项： A、费米能级随掺杂浓度的增加向禁带中线移动 B、费米能级随掺杂浓度的增加向价带顶移动 C、费米能级随掺杂浓度的增加向导带底移动 D、费米能级随掺杂浓度的增加向施主能级移动
- 2.n型半导体，随着施主浓度ND的增加，费米能级从禁带中线逐渐移向_____方向。
- 3.n型半导体，随着掺杂浓度减少，费米能级（ ）。选项： A:向导带底靠近; B:向下朝禁带中央靠近; C:向下朝价带顶靠近; D:向上朝禁带中央靠近
- 4.硅晶体中的费米能级向高能级移动，可能对应以下情况发生选项： A:导带电子浓度增加 B:价带空穴浓度增加 C:导带有效态密度Nc减少 D:导带有效态密度Nc增加
- 5.随着温度的升高,P型半导体的费米能() 选项： A:从导带底部能级向禁带中央变化 B:从导带顶部能级向禁带中央变化 C:从价带顶部能级向禁带中央变化 D:从价带底部能级向禁带中央变化
- 6.已知Si中掺有硼杂质，且掺杂浓度为1017/cm3，则这是 型半导体，该半导体的费米能级在禁带中线的 选项： A:N，上方; B:P，上方; C:P，下方; D:N ，下方
- 7.已知Si中掺有硼杂质，且掺杂浓度为1017/cm3，则这是 型半导体，该半导体的费米能级在禁带中线的 选项： A、N，上方 B、P，上方 C、P，下方 D、N ，下方
- 8.当施主能级ED与费米能级EF重合时，电离施主杂质的浓度为未电离施主杂质浓度的_________倍。
- 9.已知p型砷化镓材料，掺杂浓度为Na=5*10^16 cm^-3, Nd=4*10^15 cm^-3，T=300K时，费米能级相对于价带顶的位置。
- 10. n型半导体导带的有效状态密度Nc=1.0×1019/cm3,施主原子的浓度为ND=1.0×1021/cm3,导带的最低能级为1.10eV，施主原子的局域能级为1.00eV，求该n型半导体导带中的电子浓度和费米能级，k=8.6×10-5eV/K，T=300K，假定价带顶的能级为0.0eV。（）
- 11.当施主能级ED与费米能级EF相等时，电离施主的浓度为施主浓度的（ ）倍。选项： A:1/2; B:1/3; C:1/4; D:1/5
- 12.【单选题】n型半导体导带的有效状态密度 Nc=1.01019/cm3, 施主原子的浓度为ND=1.01021/cm3,导带的最低能级为1.10 eV，施主原子的局域能级为1.00 eV，求该n型半导体导带中的电子浓度和费米能级，k=8.610-5eV/K，T=300K，假定价带顶的能级为0.0 eV。（ ） A.2.371019/cm3 , 0.56eV B.1.441019/cm3 , 0.44
- 13.当温度一定时，杂质半导体的费米能级主要由什么因素决定？试把强n，弱n型半导体与强p，弱p半导体的费米能级与本征半导体的费米能级比较。
- 14.施主杂质浓度为1013cm-3的n型硅,计算在400k杂质完全电离时的多子浓度、少子浓度、费米能级的位置。
- 15.硅晶体中掺入硼原子，会引入杂质能级，该能级是 ，离 近。（ ）选项： A:施主能级，导带底; B:施主能级，价带顶; C:受主能级，导带底; D:受主能级，价带顶
- 16.下列关于本征半导体，说法正确的有？选项： A:本征半导体是一块没有杂质和缺陷的半导体; B:本征半导体的费米能级位于禁带的中线附近; C:本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度; D:本征半导体的电阻率随温度升高而单调下降
