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n型半导体,随着施主浓度ND的增加,费米能级从禁带中线逐渐移向_____方向。
半导体
移向
施主
发布时间:
2024-06-15 21:10:02
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相关试题
1.
对于p型半导体,费米能级随掺杂浓度的变化情况为: 选项: A、费米能级随掺杂浓度的增加向禁带中线移动 B、费米能级随掺杂浓度的增加向价带顶移动 C、费米能级随掺杂浓度的增加向导带底移动 D、费米能级随掺杂浓度的增加向施主能级移动
2.
n型半导体费米能级EF不仅随温度变化,还随掺杂的浓度而变化,当n型杂质浓度增加,其费米能级逐渐向( )靠拢选项: A:禁带中线; B:导带底部; C:价带顶部; D:导带顶部
3.
对于p型半导体,费米能级随受主杂质掺杂浓度的变化情况为?A.费米能级随掺杂浓度的增加向 价带顶 移动B.费米能级随掺杂浓度的增加向 导带底 移动C.费米能级随掺杂浓度的增加向 禁带中线 移动D.费米能级随掺杂浓度的增加向 施主能级 移动
4.
室温下,n-Si中的电子浓度为空穴浓度的10000倍,则其费米能级位于( )。选项: A:禁带中线之下; B:禁带中线; C:禁带中线之上; D:施主能级
5.
随着温度的升高,p型半导体的费米能( )。选项: A:从导带底部能级向禁带中央变化; B:从导带顶部能级向禁带中央变化; C:从价带顶部能级向禁带中央变化; D:从价带底部能级向禁带中央变化
6.
随着温度的升高,p型半导体的费米能( ) 选项: A、从导带底部能级向禁带中央变化 B、从导带顶部能级向禁带中央变化 C、从价带顶部能级向禁带中央变化 D、从价带底部能级向禁带中央变化
7.
半导体中费米能级随着温度的升高向禁带中央移动,随着杂质浓度的提高向禁带边沿移动。( )选项: A:对 B:错
8.
已知Si中掺有硼杂质,且掺杂浓度为1017/cm3,则这是 型半导体,该半导体的费米能级在禁带中线的 选项: A、N,上方 B、P,上方 C、P,下方 D、N ,下方
9.
n型半导体导带的有效状态密度Nc=1.0×1019/cm3,施主原子的浓度为ND=1.0×1021/cm3,导带的最低能级为1.10eV,施主原子的局域能级为1.00eV,求该n型半导体导带中的电子浓度和费米能级,k=8.6×10-5eV/K,T=300K,假定价带顶的能级为0.0eV。()
10.
Au在Si半导体中是有效的复合中心,既能起施主作用,又能起受主作用。但是在n型Si中,只有( )起作用选项: A:施主能级; B:受主能级; C:禁带中央能级; D:费米能级
11.
室温下,对于一块p型半导体,如 (1)向其中继续加入施主杂质,费米能级在禁带中的位置将向____移,导带中的电子浓度____、价带中的电子浓度____; (2)向其中继续加入受主杂质,费米能级在禁带中的位置将向____移,导带中的电子浓度____、价带中的电子浓度____; (3)升高温度,费米能级将向 移。
12.
当导带中电子浓度超过了状态密度Nc时,费米能级位于导带内部,称为( )选项: A:n型简并半导体; B:P型简并半导体; C:本征半导体; D:热平衡半导体
13.
n型半导体导带的有效状态密度 Nc=1.0×1019/cm3, 施主原子的浓度为ND=1.0×1021/cm3,导带的最低能级为1.10 eV,施主原子的局域能级为1.00 eV,求该n型半导体导带中的电子浓度和费米能级,k=8.6×10-5eV/K,T=300K,假定价带顶的能级为0.0 eV。( ) 选项: A、1.44×1019/cm3 , 0.56eV B、2.37×1019/cm3 , 0.44eV C、2.37×1019/cm3 , 0.56eV D、1.44×1019/cm3 , 0.44eV
14.
当温度一定时,杂质半导体的费米能级主要由什么因素决定?试把强n,弱n型半导体与强p,弱p半导体的费米能级与本征半导体的费米能级比较。
15.
非杂质补偿的N型半导体中的载流子,以下说法正确的是选项: A:N型半导体中的电子浓度近似等于施主杂质浓度; B:N型半导体的电子浓度近似等于空穴浓度; C:N型半导体中的电子浓度近似等于受主浓度; D:N型半导体中的空穴浓度近似等于施主浓度
16.
计算含有施主杂质浓度ND=91015 cm-3和受主杂质浓度ND=1.11016 cm-3的硅在300K时的电子和空穴密度以及费米能级的位置。
17.
以下对p型衬底的MIS结构的临界强反型状态描述错误的是( ) 选项: A、表面处费米能级与本征费米能级重合 B、表面处费米能级处于本征费米能级与导带底能级的中央 C、表面处费米能级与本征费米能级之差与体内处本征费米能级与费米能级之差相等 D、表面势等于费米势的两倍 E、表面反型电子浓度等于体内空穴浓度
18.
当施主能级ED与费米能级EF相等时,电离施主的浓度为施主浓度的( )倍。选项: A:1/2; B:1/3; C:1/4; D:1/5
19.
计算含有施主杂质浓度ND=91015 cm-3和受主杂质浓度ND=1.11016 cm-3的硅在300K时的电子和空穴密度以及费米能级的位置。
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