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在半导体硅中杂质P起施主作用;Al起受主作用,同时含磷和铝,但铝浓度高的Si是p型半导体。( )
选项:
A:对
B:错
半导体
施主
受主
发布时间:
2024-06-15 21:08:08
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1.
在半导体硅中杂质P起施主作用;Al起受主作用,同时含磷和铝,但铝浓度高的Si是p型半导体。( ) 选项: A、对 B、错
2.
如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主杂质浓度和受主杂质浓度相等,会造成什么结果?? 通过杂质的补偿作用,半导体变为P型半导体。|施主杂质和受主杂质之间高度补偿,半导体中存在大量杂质,特性很差。|施主杂质和受主杂质完全补偿掉,结果是没有杂质,类似本征半导体。|通过杂质的补偿作用,半导体变为N型半导体。
3.
以下哪种情况下,半导体为N型的?选项: A:本征半导体中掺入施主杂质。; B:半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度大于受主浓度。; C:半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度小于受主浓度。; D:半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度等于受主浓度。; E:本征半导体中掺入受主杂质。
4.
以下哪种情况下,半导体为N型的?选项: A:本征半导体中掺入施主杂质。; B:本征半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度大于受主浓度。; C:本征半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度小于受主浓度。; D:本征半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度等于受主浓度。; E:本征半导体中掺入受主杂质。
5.
Au在Si半导体中是有效的复合中心,既能起施主作用,又能起受主作用。但是在n型Si中,只有( )起作用选项: A:施主能级; B:受主能级; C:禁带中央能级; D:费米能级
6.
室温下,Si半导体中受主浓度大于施主浓度,该半导体为().选项: A:n型半导体; B:p型半导体; C:本征半导体; D:不确定
7.
室温下,Si半导体中受主浓度大于施主浓度,该半导体为().选项: A:n型半导体; B:p型半导体; C:本征半导体; D:非简并半导体
8.
P型半导体中的掺杂杂质是: 选项: A、施主 B、受主
9.
在硅(Si)单晶中掺入硼(B),可形成n型半导体;掺入磷(P),可形成p型半导体。 选项: A、对 B、错
10.
将三价的硼作为杂质参杂到硅半导体中, 以下叙述正确的是( )。选项: A:硼为施主杂质。; B:硼为受主杂质。; C:形成P型半导体。; D:形成N型半导体。
11.
关于杂质半导体,说法正确的是 选项: A、掺杂的作用时改变半导体的载流子浓度,使半导体导电能力增强 B、 N型半导体是掺入了受主杂质的半导体 C、P型半导体主要依靠空穴导电 D、杂质半导体中载流子的浓度需同时考虑杂质激发和本征激发
12.
当一种半导体同时掺入施主杂质和受主杂质时,施主杂质和受主杂质之间有相互抵消的作用,这种现象称为 ____。
13.
将Si掺杂入GaAs中,若Si取代Ga则起()杂质作用,若Si取代As则起()杂质作用。 选项: A、施主 B、受主 C、陷阱 D、复合中心
14.
在硅(Si)单晶中掺入硼(B),可形成n型半导体;掺入磷(P),可形成p型半导体。 选项: A:正确 B:错误
15.
非杂质补偿的N型半导体中的载流子,以下说法正确的是选项: A:N型半导体中的电子浓度近似等于施主杂质浓度; B:N型半导体的电子浓度近似等于空穴浓度; C:N型半导体中的电子浓度近似等于受主浓度; D:N型半导体中的空穴浓度近似等于施主浓度
16.
非杂质补偿的N型半导体中的载流子,以下说法正确的是 选项: A:N型半导体中的电子浓度近似等于施主杂质浓度; B:N型半导体的电子浓度近似等于空穴浓度; C:N型半导体中的电子浓度近似等于受主浓度; D:N型半导体中的空穴浓度近似等于施主浓度
17.
砷化镓中替代镓位的硅原子起施主作用;这样的砷化镓是n型半导体。( )选项: A:对 B:错
18.
硅、锗中的杂质对其导电性有影响,其中I族杂质起受主作用,V族杂质起施主作用。 选项: A:正确 B:错误
19.
将Si掺杂入GaAs中,若Si取代Ga则起( )杂质作用。 选项: A、陷阱 B、施主 C、受主 D、复合中心
20.
以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是选项: A:纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。; B:实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体。; C:本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。; D:本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体。; E:n型半导体依靠导带电子导电。; F:p型半导体依靠价带空穴导电。; G:本征半导体中载流子由本征激发产生。; H:本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。; I:施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。; J:受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。; K:杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生。; L:杂质半导体中也存在本征激发的过程。
21.
p型的MOS结构半导体表面处于反型区时,空间电荷是 的,为 ( )。选项: A:正,电离施主杂质; B:正,电离施主杂质和空穴; C:负,电离受主杂质; D:负,电离受主杂质和电子
22.
p型的MOS结构半导体表面处于反型区时,空间电荷是 的,为 ( )。 选项: A、正,电离施主杂质 B、正,电离施主杂质和空穴 C、负,电离受主杂质 D、负,电离受主杂质和电子
23.
以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是选项: A:理想情况下,纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。; B:实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体。; C:本征半导体中掺入杂质可形成杂质半导体。; D:本征半导体中掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体。; E:n型半导体主要依靠导带电子导电。; F:p型半导体主要依靠价带空穴导电。; G:本征半导体中载流子由本征激发产生。; H:本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。; I:施主杂质电离可以为半导体提供导电的电子。; J:受主杂质电离可以为半导体提供导电的空穴。; K:一般情况下,杂质半导体中的载流子主要来源于杂质电离。; L:杂质半导体中也存在本征激发的过程。
24.
室温下,施主浓度为1.0×1016cm-3的n型硅Si与铝Al形成金属与半导体接触,Al的功函数为4.30eV,Si的电子亲和能为4.05eV。已知,Nc=1019cm-3,k0T=0.026eV,ln1000=6.9。判断金属-半导体接触形成阻挡层还是反阻挡层。
25.
下列材料属于N型半导体是( )。 选项: A:硅中掺有元素杂质磷、砷 B:硅中掺有元素杂质硼、铝 C:砷化镓掺有元素杂质硅、碲 D:砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁
26.
在 N 型半导体中,掺入高浓度的三阶杂质可以改型为 P 型半导体。( ) 选项: A:对 B:错
27.
P型半导体的界面态是( )。选项: A:施主型; B:受主型; C:可以是施主型,也可以是受主型; D:施主型受主型都有
28.
在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素,如磷、锑、砷等,可以构成 。( )选项: A:N型半导体 B:P型半导体
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