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P型半导体中的掺杂杂质是:
选项:
A:施主
B:受主
掺杂
施主
受主
发布时间:
2024-06-15 21:08:08
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1.
非本征半导体中,当电子浓度高于空穴浓度时,半导体是 型,掺入的是 杂质。 选项:A.n, 受主B.n, 施主C.p, 受主D.p, 施主
2.
关于施主掺杂,下列说法不正确的是()选项: A:施主杂质电离后,可以为半导体提供导电电子; B:施主杂质电离后,电离中心带正电; C:施主杂质是一种间隙式杂质; D:单一施主掺杂后的半导体为n型半导体
3.
P型半导体的界面态是( )。选项: A:施主型; B:受主型; C:可以是施主型,也可以是受主型; D:施主型受主型都有
4.
在半导体硅中杂质P起施主作用;Al起受主作用,同时含磷和铝,但铝浓度高的Si是p型半导体。()
5.
如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主杂质浓度和受主杂质浓度相等,会造成什么结果?
6.
在半导体硅中杂质P起施主作用;Al起受主作用,同时含磷和铝,但铝浓度高的Si是p型半导体。( )选项: A:对 B:错
7.
硅在砷化镓中是施主杂质还是受主杂质 选项: A、施主杂质 B、受主杂质 C、既可以表现为施主杂质,也可以表现为受主杂质 D、既不表现为施主杂质,也不表现为受主杂质
8.
非杂质补偿的N型半导体中的载流子,以下说法正确的是选项: A:N型半导体中的电子浓度近似等于施主杂质浓度; B:N型半导体的电子浓度近似等于空穴浓度; C:N型半导体中的电子浓度近似等于受主浓度; D:N型半导体中的空穴浓度近似等于施主浓度
9.
对于p型半导体,费米能级随受主杂质掺杂浓度的变化情况为?A.费米能级随掺杂浓度的增加向 价带顶 移动B.费米能级随掺杂浓度的增加向 导带底 移动C.费米能级随掺杂浓度的增加向 禁带中线 移动D.费米能级随掺杂浓度的增加向 施主能级 移动
10.
以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是 选项: A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。 B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体。 C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。 D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体。 E、n型半导体依靠导带电子导电。 F、p型半导体依靠价带空穴导电。 G、本征半导体中载流子由本征激发产生。 H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。 I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。 J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。 K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生。 L、杂质半导体中也存在本征激发的过程。
11.
p型半导体是掺入了受主杂质的非本征半导体,以____作为载流子。
12.
将Si掺杂入GaAs中,若Si取代Ga则起( )杂质作用。 选项: A、陷阱 B、施主 C、受主 D、复合中心
13.
以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是选项: A:理想情况下,纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。; B:实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体。; C:本征半导体中掺入杂质可形成杂质半导体。; D:本征半导体中掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体。; E:n型半导体主要依靠导带电子导电。; F:p型半导体主要依靠价带空穴导电。; G:本征半导体中载流子由本征激发产生。; H:本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。; I:施主杂质电离可以为半导体提供导电的电子。; J:受主杂质电离可以为半导体提供导电的空穴。; K:一般情况下,杂质半导体中的载流子主要来源于杂质电离。; L:杂质半导体中也存在本征激发的过程。
14.
如果杂质在化合物半导体中既有施主作用又有受主作用,则这种杂质称为( )。 选项: A、陷阱 B、双性杂质 C、复合中心 D、中性杂质
15.
本征半导体中掺入适量的施主杂质可以形成P型半导体。( )A.正确B.错误
16.
中国大学MOOC: 当半导体硅中掺有受主杂质时,主要靠( )导电,这种半导体称为P型半导体。
17.
【填空题】杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的 元素(多子是 ,少子是 )。 *N 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的 元素(多子是 ,少子是 )
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