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- 1.非化学计量化合物Cd1+xO，由于在化学组成上偏离化学计量而产生的晶格缺陷是（ ）。选项： A:负离子空位; B:间隙正离子; C:正离子空位; D:间隙负离子
- 2.化合物Cu2-xO由于在化学组成上偏离化学计量而产生的晶格缺陷是____，属于金属离子缺位型非化学计量化合物。
- 3.对于金属氧化物，下列条件中（）不能形成n型半导体。 选项： A、掺杂低价金属离子 B、氧缺位 C、引入电负性大的原子 D、高价离子同晶取代
- 4.非化学计量化合物ZrO2-x,由于在化学组成上偏离化学计量而产生的晶格缺陷的类型分别是() 选项： A、阴离子空位型 B、阳离子间隙型 C、阳离子空位型 D、阴离子间隙型
- 5.非化学计量化合物Cd1+xO中存在( ) 型晶格缺陷 A: 阴离子空位 B: 阳离子空位 C: 阴离子填隙 D: 阳离子填隙
- 6.非化学计量化合物TiO2-x，由于在化学组成上偏离化学计量而产生的晶格缺陷是。 选项： A、阳离子填隙 B、阳离子空位 C、阴离子填隙 D、阴离子空位
- 7.关于非化学计量化合物的描述不正确的是 选项： A、非化学计量化合物不符合定比定律 B、缺陷的种类与气氛性质有关 C、缺陷浓度与温度无关 D、非化学计量化合物都是半导体
- 8.非化学计量化合物Zn1+xO，由于在化学组成上偏离化学计量而产生的晶格缺陷是选项： A:阳离子填隙; B:阳离子空位; C:阴离子填隙; D:阴离子空位
- 9.关于非化学计量化合物的描述不正确的是选项： A:非化学计量化合物不符合定比定律; B:缺陷的种类与气氛性质有关; C:缺陷浓度与温度无关; D:非化学计量化合物都是半导体
- 10.非化学计量化合物Cd1+xO中存在( ) 型晶格缺陷 选项： A、阴离子空位 B、阳离子空位 C、阴离子填隙 D、阳离子填隙
- 11.非化学计量化合物Cd1+xO中存在( ) 型晶格缺陷选项： A:阴离子空位; B:阳离子空位; C:阴离子填隙; D:阳离子填隙
- 12.下列关于n型半导体和p型半导体区别描述正确的有（ ） 选项： A、n型半导体在施主能级上的自由电子，很容易激发到导带中，产生自由电子导电 B、含有过量金属原子的非化学计量化合物可生成n型半导体 C、p型半导体在受主能级上有空穴存在，很容易接受满带中跃迁的电子，使满带产生正电空穴，并进行空穴导电 D、p型半导体有利于氧的吸附，有利于深度氧化反应，是活泼的氧化催化剂
- 13.若有一个变价氧化物XO，在还原气氛下形成阴离子缺位型非化学计量化合物，金属元素X和氧原子数之比为：X：O＝1.1:1，则其化学式应为（ ）选项： A:X1.1O B:XO0.90 C:XO0.91 D:XO1.1
- 14.氧化性气氛生成p型半导体，以下缺陷反应生成阴离子填隙（MaXb+y）型非化学计量化合物1/2O2(g)= Oi’’+2h•（ ）选项： A:对 B:错
- 15.氧化性气氛生成p型半导体，以下缺陷反应生成阳离子空位（Ma-yXb）型非化学计量化合物1/2O2=VFe’’+2h•+OO 。（ ） 选项： A、对 B、错
- 16.67.在非化学计量化合物ZrO2-中存在的晶格缺陷是A阴离子空位B阳离子空位A、阴离子填隙B、阳离子填隙
- 17.77.在非化学计量化合物ZO2-中存在的晶格缺陷是A阴离子空位B阳离子空位A、阴离子填隙B、阳离子填隙
- 18.96.在非化学计量化合物ZO2-中存在的晶格缺陷是A阴离子空位B阳离子空位A、阴离子填隙B、阳离子填隙
- 19.38.在非化学计量化合物UO2 中存在的晶格缺陷是A阴离子空位B阳离子空位A、阴离子填隙B、阳离子填隙
- 20.76.在非化学计量化合物ZO2-中存在的晶格缺陷是A阴离子空位B阳离子空位A、阴离子填隙B、阳离子填隙
- 21.非化学计量化合物
- 22.67.在非化学计量化合物ZO2-中存在的晶格缺陷是A阴离子空位B阳离子空位C阴离子填獄D阳离子填隙
- 23.非化学计量化合物的特点。
- 24.97.在非化学计量化合物ZO2-x中存在的晶格缺陷是A阴离子空位B阳离子空位A、阴离子填隙B、阳离子填隙
