氧化性气氛生成p型半导体,以下缺陷反应生成阴离子填隙(MaXb+y)型非化学计量化合物1/2O2(g)= Oi’’+2h•( )
选项:
A:对
B:错
发布时间:2024-06-15 21:13:57
以下文字与答案无关
提示:有些试题内容 显示不完整,文字错误 或者 答案显示错误等问题,这是由于我们在扫描录入过程中 机器识别错误导致,人工逐条矫正总有遗漏,所以恳请 广大网友理解。