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- 1.下列器件中，最适合用在小功率、高开关频率场合的是( )。 选项： A:IGBT B:GTO C:MOSFET D:GTR
-
2.下列器件中，（）最适合用在小功率、高开关频率的变换电路中。 选项： A:
GTR
B:IGBT
C:MOSFET
D:GTO
- 3.在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是MOSFET，单管输出功率最大的是（ ）。选项： A:GTR B:GTO C:IGBT D:MOSFET
-
4.下列电力半导体器件中，（ ）最适合用在小功率、高开关频率的电力电子电路中。 选项： A:
晶闸管
B:GTR
C:电力MOSFET
D:IGBT
- 5.GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中，哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件（）。 选项： A、GTO和GTR； B、TRIAC和IGBT； C、MOSFET和IGBT； D、SCR和MOSFET；
- 6.下列器件中，（ ）是电压驱动型器件。选项： A:GTO B:GTR C:MOSFET D:IGBT
- 7.属于全控型器件的是()。 选项： A、GTO B、MOSFET C、IGBT D、GTR
- 8.比较而言，下列全控型半导体器件中开关频率最快的器件是（） 选项： A:GTR B:MOSFET C:IGBT
- 9.典型全控型电力电子器件有GTO、GTR、MOSFET、IGBT。
- 10.下列电力电子器件属于电压控制型的是（ ）。 选项： A、GTR B、GTO C、IGBT D、MOSFET
- 11.下列器件中属于电流型驱动类型的有（ ）。 选项： A:GTO B:GTR C:P-MOSFET D:IGBT
- 12.下列电力半导体器件中,( )最适合用在小功率、高开关频率电力电子电路中。A、晶闸管B、GTRC、电力MOSFETD、IGBT
- 13.属于电压控制型的全控型器件有 A: GTO B: GTR C: IGBT D: MOSFET
- 14. 典型全控型电力电子器件有GTO、GTR、MOSFET、IGBT。
- 15.IGBT属于复合型的器件,它相当于()。 选项： A、MOSFET驱动的GTO B、MOSFET驱动的GTR C、MOSFET驱动的晶闸管 D、GTR驱动的MOSFET
- 16.IGBT是一个复合型的器件，它是（ ） 选项： A:GTR驱动的MOSFET B:MOSFET驱动的GTR C:MOSFET驱动的晶闸管 D:MOSFET驱动的GTO
- 17.对IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较正确的是（ ）。选项： A:IGBT的开关速度低于电力MOSFET，电压，电流容量不及GTO B:GTR的开关速度高，驱动电路复杂，存在二次击穿问题 C:GTO的电压、电流容量大，但其关断增益也很大 D:电力MOSFET的开关速度最快，但驱动电路比较复杂
- 18.4、IGBT是一个复合型的器件，它是（） 选项：A:GTR驱动的MOSFET|B:MOSFET驱动的GTR|C:MOSFET驱动的晶闸管|D:MOSFET驱动的GTO
- 19.对IGBT下列说法正确的是（） 选项： A、IGBT是MOSFET和GTR复合的产物 B、IGBT是MOSFET和GTO复合的产物 C、IGBT具有MOSFET驱动特性和GTR的导通特性。 D、IGBT具有MOSFET驱动特性和GTO的导通特性
