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硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压
小于
二极管
电压
发布时间:
2024-05-22 12:40:36
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1.
硅二极管的死区电压约为(),锗二极管的死区电压约为()。
2.
硅二极管的死区电压是 ,锗二极管的死区电压是 。
3.
硅二极管的死区电压是 ,锗二极管的死区电压是 。
4.
一般情况下,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压( )。选项: A:正确; B:错误
5.
硅二极管的死区电压
6.
硅二极管的死区电压
7.
硅二极管的死区电压是
8.
硅二极管的死区电压是
9.
硅二极管的死区电压是多少?
10.
硅二极管的死区电压约 V
11.
硅二极管的死区电压约 V
12.
硅二极管的死区电压是()V左右
13.
【填空题】硅二极管的死区电压是
14.
硅二极管的死区电压是 V,导通电压是 V。
15.
硅二极管的死区电压是 选项: A:正确 B:错误
16.
硅二极管的死区电压是多状?导通电压是多少伏?
17.
硅二极管的死区电压(开启电压)是0.7V 选项: A:正确; B:错误
18.
硅二极管的死区电压(开启电压)是0.7V选项: A:正确; B:错误
19.
通常硅二极管的死区电压为0.1V选项: A:对 B:错
20.
通常硅二极管的死区电压为0.1V 选项: A:对 B:错
21.
温度上升会使二极管反向饱和电流增大, 死区电压变小。 硅管的温度稳定性比锗管好选项: A:正确; B:错误
22.
观察下图选择正确结论() 选项: A、这是锗材料二极管的伏安特性曲线 B、这是硅二极管材料的伏安特性曲线 C、当正向电压超过 0.5V 时二极管开始导通,这个电压称为死区电压 D、反向电压超过-50V 后二极管将被击穿
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