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硅晶体中的原子密度为?( ) 选项: A:3×1022atonms/cm3 B:4×1022atonms/cm3 C:5×1022atonms/cm3 D:6×1022atonms/cm3
在CaF2晶体中,弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV,肖特基缺陷的生成能为5.5eV,计算在25℃时热缺陷的浓度? ( ) A: 2.21×10-24 B: 1.72×10-4 C: 1.33×10-31 D: 1.41×10-5
在CaF2晶体中,弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV,肖特基缺陷的生成能为5.5eV,计算在1600℃时热缺陷的浓度? ( ) A: 1.33×10-31 B: 1.41×10-5 C: 1.72×10-4 D: 2.21×10-24
1.在N型半导体中 为多数载流子。 A、电子 B、空穴 C、中子 D、原子 选项: A、N型半导体中多数载流子为电子。 B、错的,因为N型半导体中多数载流子为电子。 C、错的,因为N型半导体中多数载流子为电子。 D、错的,因为N型半导体中多数载流子为电子。
下列离子晶体中,正、负离子配位数比为6:6的是()。
在本征半导体中掺适量的()价元素,就形成P型半导体。在本征半导体中加入适量的()价元素,就形成N型半导体。
半导体中费米能级随着温度的升高向禁带中央移动,随着杂质浓度的提高向禁带边沿移动。( )选项: A:对 B:错
在FexO晶体中,当温度不变时,氧分压增加,缺陷浓度 ,晶体密度 。
在 CsCl 型晶体中,正离子的配位数是多少: ( ) 选项: A: 6 B: 8 C: 10 D: 12
通常情况下人体中具有的天然放射性核素有________.
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