搜题
章节测试答案
学历考试
继续教育
网课答案
网课答案全集
登录
注册
请在
下方输入
要搜索的题目:
搜 索
立 即 搜 题
半导体中费米能级随着温度的升高向禁带中央移动,随着杂质浓度的提高向禁带边沿移动。( )
选项:
A:对
B:错
温度
体中
提高
发布时间:
2024-06-15 21:10:02
首页
继续教育
推荐参考答案
(
由 搜题小帮手 官方老师解答 )
联系客服
答案:
以下文字与答案无关
提示:有些试题内容 显示不完整,文字错误 或者 答案显示错误等问题,这是由于我们在扫描录入过程中 机器识别错误导致,人工逐条矫正总有遗漏,所以恳请 广大网友理解。
查看参考答案
相关试题
1.
随着温度的升高,P型半导体的费米能() 选项: A:从导带底部能级向禁带中央变化 B:从导带顶部能级向禁带中央变化 C:从价带顶部能级向禁带中央变化 D:从价带底部能级向禁带中央变化
2.
随着温度的升高,p型半导体的费米能( )。选项: A:从导带底部能级向禁带中央变化; B:从导带顶部能级向禁带中央变化; C:从价带顶部能级向禁带中央变化; D:从价带底部能级向禁带中央变化
3.
随着温度的升高,p型半导体的费米能( ) 选项: A、从导带底部能级向禁带中央变化 B、从导带顶部能级向禁带中央变化 C、从价带顶部能级向禁带中央变化 D、从价带底部能级向禁带中央变化
4.
以下说法不正确的是( )。选项: A:对n型半导体,随着施主浓度ND的增加,费米能级EF从禁带中线逐渐向导带底方向靠近。; B:对p型半导体,随着受主浓度NA的增加,费米能级EF从禁带中线逐渐向价带顶方向靠近。; C:杂质半导体中载流子浓度和费米能级EF的位置由杂质浓度所决定,与温度无关。; D:在杂质半导体中,费米能级EF的位置不但反映了半导体的导电类型,而且还反映了半导体的掺杂水平。
5.
n型半导体费米能级EF不仅随温度变化,还随掺杂的浓度而变化,当n型杂质浓度增加,其费米能级逐渐向( )靠拢选项: A:禁带中线; B:导带底部; C:价带顶部; D:导带顶部
6.
室温下,对于一块p型半导体,如 (1)向其中继续加入施主杂质,费米能级在禁带中的位置将向____移,导带中的电子浓度____、价带中的电子浓度____; (2)向其中继续加入受主杂质,费米能级在禁带中的位置将向____移,导带中的电子浓度____、价带中的电子浓度____; (3)升高温度,费米能级将向 移。
7.
室温下,n-Si中的电子浓度为空穴浓度的10000倍,则其费米能级位于( )。选项: A:禁带中线之下; B:禁带中线; C:禁带中线之上; D:施主能级
8.
p型半导体的受主能级,在能级结构中处于选项: A:满带中; B:导带中; C:禁带中,接近导带底部。; D:禁带中,接近满带顶部。
9.
光子流密度与半导体禁带宽度密切相关,随着禁带减小,光子流密度急剧减小。( )选项: A:对 B:错
10.
根据实验表明,大多数半导体材料的禁带宽度随着温度的升高而减小,这称为半导体禁带宽度的______ 温度系数特征。
11.
p型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称受主能级),在能带结构中应处于选项: A:禁带中,但接近满带顶 B:禁带中,但接近导带底 C:导带中 D:满带中 满带中
12.
半导体量子点与其体材的能带有所不同:选项: A:禁带宽度展宽了; B:禁带宽度缩小了; C:禁带宽度不变; D:导带为分立能级; E:导带、价带均为连续能级; F:导带、价带均为分立能级
13.
半导体导带中的电子浓度取决于导带的( )。选项: A:状态密度 B:费米分布函数 C:电子的有效质量 D:禁带宽度
14.
根据维恩位移定律,随着物体温度升高,辐射出的能量峰值向短波长方向移动
15.
电子不能在禁带排布,但是可以越过禁带,从价带跃迁到导带。( )选项: A:对 B:错
16.
半导体的禁带宽度随着温度的增加而( )。 选项: A、增大 B、不变 C、减小 D、先增大后减小
17.
随着温度升高,半导体的电阻率一定升高 ( ) 选项: A:对 B:错
18.
对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,随着平均原子序数的增加( )。选项: A:禁带宽度增大; B:禁带宽度变小; C:最低导带极值从布里渊区中心移向边界; D:最低的导带极值从布里渊区中心不变
19.
不会影响半导体本征载流子浓度的因素是选项: A:温度; B:杂质浓度; C:半导体的材料种类; D:半导体的禁带宽度
20.
在半导体的能带结构中,电子填充的最高的满带称为____。 选项: A:导带 B:允带 C:价带 D:禁带
21.
以下关于半导体能带特征描述正确的是()选项: A:室温下,硅的禁带宽度约为1.12eV,是直接带隙半导体; B:室温下,锗的禁带宽度约为0.67eV,是直接带隙半导体; C:室温下,砷化镓的禁带宽度约为1.12eV,是直接带隙半导体; D:室温下,硅的禁带宽度约为1.12eV,是间接带隙半导体
用户中心
登录
没有账号?
点我注册
热门标签
热风
无保留
声效
陆家嘴
地质力学
南明
无所用心
不明真相
罗贯中
恶意
登录 - 搜题小帮手
登录
立即注册
已购买搜题包,但忘记账号密码?
登录即同意
《服务协议》
及
《隐私政策》
注册 - 搜题小帮手
确认注册
立即登录
登录即同意
《服务协议》
及
《隐私政策》
购买搜题卡查看答案
购买前请仔细阅读
《购买须知》
体验
30天体验包
¥
5.99
无赠送,体验一下
查看100次答案
推荐
半年基础包
¥
9.99
畅享300次搜题
查看300次答案
随心用
超值包一年
¥
29.99
超值包,一万次搜题
查看10000次答案
月卡
月卡
¥
19.99
30天无限搜题
查看30天答案
请选择支付方式
已有帐号 点我登陆
微信支付
支付宝扫码
请输入您的手机号码:
点击支付即表示同意并接受了
《服务协议》
和
《购买须知》
填写手机号码系统自动为您注册
立即支付
我们不保证100%有您要找的试题及正确答案!请确保接受后再支付!
联系客服
找回账号密码
微信支付
订单号:
1111
遇到问题请
联系客服
恭喜您,购买搜题卡成功
系统为您生成的账号密码如下:
账号
密码
重要提示:
请勿将账号共享给其他人使用,违者账号将被封禁。
保存账号查看答案
请不要关闭本页面,支付完成后请点击【支付完成】按钮
支付完成
取消支付
遇到问题请联系
在线客服