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- 1.对IGBT下列说法正确的是（） 选项： A、IGBT是MOSFET和GTR复合的产物 B、IGBT是MOSFET和GTO复合的产物 C、IGBT具有MOSFET驱动特性和GTR的导通特性。 D、IGBT具有MOSFET驱动特性和GTO的导通特性
- 2.雷电放电具有（)的特点。A、电流小、电压高B、电流大、电压高C、电流大、电压低 选项：A、雷电放电具有()的特点。 A、电流小、电压高B、电流大、电压高C、电流大、电压低
- 3.雷电放电具有( )A、.电流大,电压高B、电流小,电压高C、电流大,电压低D、电流小、电压低
- 4.雷电放电具有（ ） 的特点。选项： A:电流大，电压高 ; B:电流小，电压高 ; C:电流大，电压低 ; D:电流小，电压低
- 5.雷电放电具有()的特点A、电流大,电压高B、电流小,电压高C、电流大,电压低D、电流小、电压低
- 6.对IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较正确的是（ ）。选项： A:IGBT的开关速度低于电力MOSFET，电压，电流容量不及GTO B:GTR的开关速度高，驱动电路复杂，存在二次击穿问题 C:GTO的电压、电流容量大，但其关断增益也很大 D:电力MOSFET的开关速度最快，但驱动电路比较复杂
- 7.雷电放电具有什么的特点？( ) 选项： A: 电流大，电压高 B: 电流小，电压高 C: 电流大，电压低
- 8.运算放大器具有( )的优点 选项： A:输入阻抗高，输出阻抗低 B:输入阻抗低，输出阻抗高 C:输入阻抗高，输出阻抗高
- 9.关于IGBT的特性和参数特点，下列说法正确的是（）。 选项： A:A、IGBT开关速度高 B:B、IGBT开关损耗小 C:C、IGBT具有耐脉冲电流冲击的能力 D:D、IGBT的安全工作区比GTR大
- 10.GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中，哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件（）。 选项： A、GTO和GTR； B、TRIAC和IGBT； C、MOSFET和IGBT； D、SCR和MOSFET；
- 11.在 GTR、GTO、IGBT 与 MOSFET 中,开关速度最快的是 () 选项： A、MOSFET B、GTO C、IGBT D、GTR
- 12.以下电力电子器件中,属于电压驱动型器件的有和,属于电流驱动型器件的有和。(MOSFET、IGBT、GTR、GTO)
- 13.属于电压控制型的全控型器件有 A: GTO B: GTR C: IGBT D: MOSFET
- 14.下列器件中，最适合用在小功率、高开关频率场合的是（ ）。 选项： A:IGBT B:GTO C:MOSFET D:GTR
- 15.放大低内阻小脉冲型电压信号应该选用（ ）的运算放大器。 选项： A、输入失调低 B、高输入阻抗 C、输出电流大 D、电压摆率高
- 16.运算放大器具有的优点是()。 选项：A.输入阻抗高，输出阻抗低 B.输入阻抗低，输出阻抗高 C.输入、输出阻抗都高 D.输入、输出阻抗都低
- 17.当变压器的一次绕组匝数大于二次匝数绕组时，变压器允许输出（）。A、电压高、电流小B、电压高、电流大C、电压低、电流大D、电压低、电流小
- 18.下列器件中属于电压驱动的电力电子器件是？ 选项： A:GTO B:GTR C:MOSFET D:IGBT
- 19.下列器件中，（ ）最适合用在小功率、高开关频率的变换器中。选项： A:GTR B:IGBT C:MOSFET D:GTO
- 20.[单选题]运算放大器具有的优点是（）。 A A.输入阻抗高，输出阻抗低 B B.输入阻抗低，输出阻抗高 C C.输入、输出阻抗都高 D D.输入、输出阻抗都低
