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室温下,硅、锗、砷化镓的禁带宽度分别为( )、(0.67 eV)和( )。
发布时间:
2024-06-03 10:05:11
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1.
砷化镓在室温时的禁带宽度是
2.
半导体砷化镓属于化合物半导体,与硅和锗不同的是,砷化镓为直接带隙半导体。 选项: A、正确 B、错误
3.
中国大学MOOC: 半导体砷化镓属于化合物半导体,与硅和锗不同的是,砷化镓为直接带隙半导体。
4.
半导体砷化镓属于化合物半导体,与硅和锗不同的是,砷化镓为直接带隙半导体。A.正确B.错误
5.
半导体材料中锗和硅属于()结构,砷化镓属于()结构。
6.
当前半导体材料 应用最广泛的是选项: A:硅; B:砷化镓; C:锗; D:锗硅材料
7.
当前半导体材料 应用最广泛的是选项: A:砷化镓; B:硅; C:锗; D:锗硅材料
8.
自然界中只有硅、锗和砷化镓是半导体。选项: A:正确; B:错误
9.
自然界中只有硅、锗和砷化镓是半导体。 选项: A、正确 B、错误
10.
具有闪锌矿结构的是( ) 选项: A、硅 B、锗 C、钠 D、砷化镓
11.
同样条件下,半导体材料( )反向电流密度变化最大。选项: A:硅; B:锗; C:砷化镓; D:锑化铟
12.
已知室温(300K)下硅的禁带宽度Eg eV,价带顶空穴和导带底电子的有效质量之比mp/mn,导带的有效状态密度NC1019/cm3, kT eV,。试计算:1)室温(300K)下,纯净单晶硅的本征费米能级Ei;2)室温(300K)下,掺磷浓度为1018/cm3的n型单晶硅的费米能级EF 。@
13.
已知室温(300K)下硅的禁带宽度 Eg1.12 eV,价带顶空穴和导带底电子的⏺⏺有效质量之比m* / mn 0.5519 3⏺⏺kT 0.026eV 。试计算:1)室温(300K)下,纯净单晶硅的本征费米能级 Ei;2)室温(300K)下,掺磷浓度为 1016/cm3 的 n 型单晶硅的费米能级 EF。
14.
硅、锗和砷化镓三种半导体材料在室温且较纯的情况下,电子迁移率大小顺序为()。 选项:A、 μSi<μGe<μGaAs B、 μGaAs<μGe<μSi C、无法比较 D、μGe<μSi<μGaAs
15.
已知室温(300K)下硅的禁带宽度 Eg1.12 eV,价带顶空穴和导带底电子的有效质量之比 mp/mn0.55,导带的有效状态密度 NC2.81019/cm3, kT0.026eV,。试计算:1)室温(300K)下,纯净单晶硅的本征费米能级 Ei;2)室温(300K)下,掺磷浓度为 1018/cm3 的 n 型单晶硅的费米能级 EF 。
16.
硅、锗和砷化镓三种半导体材料在室温且较纯的情况下,电子迁移率大小顺序为() 选项:A.μGaAs<μGe<μSiB.μGe<μSi<μGaAsC.μSi<μGe<μGaAsD.无法比较
17.
第一代太阳电池的主要材料是( )选项: A:锗; B:硅; C:锑化镉 ; D:砷化镓
18.
半导体材料砷化镓GaAs的本征吸收长波限为873nm,则GaAs的禁带宽度为( )选项: A:1.42J; B:1.42eV; C:1.42E-3 J; D:1.42E-3 eV
19.
1.室温下,GaN晶体的禁带宽度是多少? 选项: A、2.0eV B、1.5eV C、3.4eV D、2.1eV
20.
二极管按材料来分可以分为锗、硅、硒、砷化镓二极管。选项: A:正确; B:错误
21.
属于化合物半导体有( )。选项: A:氮化镓 B:氧化镓 C:砷化镓 D:硅
22.
在非简并下,硅作为两性杂质掺入砷化镓样品中,其中20%硅原子取代砷,80%硅原子取代镓,若杂质完全电离,忽略本征激发,则半导体为n型半导体。 选项: A、正确 B、错误
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