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[单选题]n型半导体中,施主能级在紧靠近导带的下方. A
A:是 B
B:否
能级
施主
紧靠
发布时间:
2024-06-15 21:09:30
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1.
n型半导体导带的有效状态密度Nc=1.0×1019/cm3,施主原子的浓度为ND=1.0×1021/cm3,导带的最低能级为1.10eV,施主原子的局域能级为1.00eV,求该n型半导体导带中的电子浓度和费米能级,k=8.6×10-5eV/K,T=300K,假定价带顶的能级为0.0eV。()
2.
【单选题】n型半导体导带的有效状态密度 Nc=1.01019/cm3, 施主原子的浓度为ND=1.01021/cm3,导带的最低能级为1.10 eV,施主原子的局域能级为1.00 eV,求该n型半导体导带中的电子浓度和费米能级,k=8.610-5eV/K,T=300K,假定价带顶的能级为0.0 eV。( ) A.2.371019/cm3 , 0.56eV B.1.441019/cm3 , 0.44
3.
Au在Si半导体中是有效的复合中心,既能起施主作用,又能起受主作用。但是在n型Si中,只有( )起作用选项: A:施主能级; B:受主能级; C:禁带中央能级; D:费米能级
4.
以下说法正确的是()选项: A:施主能级被电子占据时呈电中性; B:受主能级被电子占据时呈电中性; C:P型半导体的费米能级略低于导带底部; D:N型半导体的费米能级略高于价带顶部
5.
下列关于外光电效应表述正确的是:选项: A:对于本征半导体,电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙与电子亲和势的能量之和;; B:对于本征半导体,电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙的能量;; C:对于N型半导体,电子从施主能级跃迁到导带所需的最小能量为导带底与施主能级的能量之差;; D:对于P型掺杂半导体,电子从价带跃迁到受主能级所需的最小能量为受主能级与价带顶的能量之差。
6.
n型半导体,随着施主浓度ND的增加,费米能级从禁带中线逐渐移向_____方向。
7.
当导带中电子浓度超过了状态密度Nc时,费米能级位于导带内部,称为( )选项: A:n型简并半导体; B:P型简并半导体; C:本征半导体; D:热平衡半导体
8.
硅晶体中掺入硼原子,会引入杂质能级,该能级是 ,离 近。( )? 施主能级,导带底|施主能级,价带顶|受主能级,导带底|受主能级,价带顶
9.
硅晶体中掺入硼原子,会引入杂质能级,该能级是 ,离 近。( )选项: A:施主能级,导带底; B:施主能级,价带顶; C:受主能级,导带底; D:受主能级,价带顶
10.
n型半导体费米能级EF不仅随温度变化,还随掺杂的浓度而变化,当n型杂质浓度增加,其费米能级逐渐向( )靠拢选项: A:禁带中线; B:导带底部; C:价带顶部; D:导带顶部
11.
中国大学MOOC: 3、掺入施主杂质的半导体称为n型半导体,杂质能级离价带很近。
12.
室温下,对于一块p型半导体,如 (1)向其中继续加入施主杂质,费米能级在禁带中的位置将向____移,导带中的电子浓度____、价带中的电子浓度____; (2)向其中继续加入受主杂质,费米能级在禁带中的位置将向____移,导带中的电子浓度____、价带中的电子浓度____; (3)升高温度,费米能级将向 移。
13.
p型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称受主能级),在能带结构中应处于选项: A:禁带中,但接近满带顶 B:禁带中,但接近导带底 C:导带中 D:满带中 满带中
14.
对于p型半导体,费米能级随受主杂质掺杂浓度的变化情况为?A.费米能级随掺杂浓度的增加向 价带顶 移动B.费米能级随掺杂浓度的增加向 导带底 移动C.费米能级随掺杂浓度的增加向 禁带中线 移动D.费米能级随掺杂浓度的增加向 施主能级 移动
15.
随着温度的升高,p型半导体的费米能( )。选项: A:从导带底部能级向禁带中央变化; B:从导带顶部能级向禁带中央变化; C:从价带顶部能级向禁带中央变化; D:从价带底部能级向禁带中央变化
16.
非杂质补偿的N型半导体中的载流子,以下说法正确的是选项: A:N型半导体中的电子浓度近似等于施主杂质浓度; B:N型半导体的电子浓度近似等于空穴浓度; C:N型半导体中的电子浓度近似等于受主浓度; D:N型半导体中的空穴浓度近似等于施主浓度
17.
在N型半导体中,导带中电子的浓度小于价带中空穴的浓度。 选项: A:正确; B:错误
18.
在N型半导体中,导带中电子的浓度小于价带中空穴的浓度。 选项: A、正确 B、错误
19.
EF-EC≥0的半导体叫简并半导体,其施主浓度高于导带底等效态密度。( )A.错B.对
20.
关于半导体的费米能级与本征费米能级的关系,以下说法正确的有() 选项: A、本征半导体的费米能级等于本征费米能级; B、n型半导体的费米能级高于本征费米能级; C、p型半导体的费米能级低于本征费米能级; D、n型或p型半导体,掺杂浓度越大费米能级距离本征费米能级越远;
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