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- 1.扩散掺杂时多晶硅的扩散系数比单晶硅的扩散系数 得多。
- 2.1. 溅射与蒸镀比较，以下哪种说法正确（ ）A.蒸镀工艺粘附性更好 B.溅射工艺薄膜台阶覆盖性更好C.溅射工艺的普适性更好 C.两者均为化学工艺
- 3.可以制备薄膜材料的方法 （） 选项： A:真空蒸镀 B:离子镀 C:溶胶凝胶法 D:熔液相外延法 溅射工艺
- 4.光刻工艺中，底膜处理包括清洗、烘干和（ ），比如在硅片表面氧化层上光刻时，常涂敷（ ）作为底胶。
- 5.光刻工艺中，底膜处理包括清洗、烘干和（ ），比如在硅片表面氧化层上光刻时，常涂敷（ ）作为底胶。
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6.可以制备薄膜材料的方法 选项： A:
真空蒸镀
B:离子镀
C:溶胶凝胶法
D:溶液箱外延法 溅射工艺
- 7.通常采用重掺杂硅与金属接触来实现互连系统的欧姆接触，此时硅的掺杂浓度N> atoms/cm3。 选项： A、10∧18 B、10∧19 C、10∧20 D、10∧21
- 8.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( )。选项： A:温度; B:掺杂工艺; C:掺杂浓度; D:掺杂工艺
- 9. 硅中常见的B掺杂和As掺杂都是深能级掺杂。
- 10.下列哪种表面技术是非金属材料表面金属化的常用方法？（ ）选项： A:化学镀; B:电镀; C:电刷镀; D:热浸镀
- 11.常见的平面工艺美术不包括 ()A.剪纸B.印染C.刺绣D.泥塑
- 12.简述蒸镀与溅射的区别
- 13.属于阴极表层沉积金属的电化学加工工艺技术有()。 选项： A、电解 B、电铸 C、涂镀 D、电镀
- 14.在P型半导体中，电子浓度主要由（ ）决定 选项： A、温度 B、掺杂 C、离子 D、硅材料
- 15.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于选项： A:温度; B:掺杂工艺; C:掺杂浓度; D:晶格缺陷
- 16.② 下列哪个不是真空蒸镀的三要素
- 17.简述氧化层在制造硅芯片工艺中的应用有哪些？
- 18.金属镜架基体材料表面可进行各种处理如镀钯、镀镍、镀铑、镀金和( )等等。 选项： A、包金 B、镀银 C、合金 D、染色
- 19.硅是半导体产业中最常用的半导体材料，以下（）选项属于硅材料的优点。选项： A:易于进行腐蚀加工; B:带隙大小适中、硅表面上很容易制备高质量的介电层SiO2; C:易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅 和非晶硅薄膜材料; D:易于进行n型和p型掺杂
- 20.转炉氧化初期主要是硅锰的氧化。选项： A:正确; B:错误
