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- 1.已知室温(300K)下硅的禁带宽度Eg eV,价带顶空穴和导带底电子的有效质量之比mp/mn,导带的有效状态密度NC1019/cm3, kT eV,。试计算:1)室温(300K)下,纯净单晶硅的本征费米能级Ei;2)室温(300K)下,掺磷浓度为1018/cm3的n型单晶硅的费米能级EF 。@
- 2.已知室温(300K)下硅的禁带宽度Eg1.12 eV,价带顶空穴和导带底电子的有效质量之比mp/mn0.55,导带的有效状态密度NC2.81019/cm3, kT0.026 eV,。试计算:1)室温(300K)下,纯净单晶硅的本征费米能级Ei;2)室温(300K)下,掺磷浓度为1018/cm3的n型单晶硅的费米能级EF 。
- 3.硅晶体中掺入硼原子，会引入杂质能级，该能级是 ，离 近。（ ）? 施主能级，导带底|施主能级，价带顶|受主能级，导带底|受主能级，价带顶
- 4.对于p型半导体，费米能级随受主杂质掺杂浓度的变化情况为?A．费米能级随掺杂浓度的增加向 价带顶 移动B．费米能级随掺杂浓度的增加向 导带底 移动C．费米能级随掺杂浓度的增加向 禁带中线 移动D．费米能级随掺杂浓度的增加向 施主能级 移动
- 5.当导带中电子浓度超过了状态密度Nc时，费米能级位于导带内部，称为( )选项： A:n型简并半导体; B:P型简并半导体; C:本征半导体; D:热平衡半导体
- 6.对于p型半导体,费米能级随掺杂浓度的变化情况为: 选项： A、费米能级随掺杂浓度的增加向禁带中线移动 B、费米能级随掺杂浓度的增加向价带顶移动 C、费米能级随掺杂浓度的增加向导带底移动 D、费米能级随掺杂浓度的增加向施主能级移动
- 7.n型半导体，随着施主浓度ND的增加，费米能级从禁带中线逐渐移向_____方向。
- 8.室温下，对于一块p型半导体，如 （1）向其中继续加入施主杂质,费米能级在禁带中的位置将向____移,导带中的电子浓度____、价带中的电子浓度____; （2）向其中继续加入受主杂质,费米能级在禁带中的位置将向____移,导带中的电子浓度____、价带中的电子浓度____； （3）升高温度，费米能级将向 移。
- 9.本征半导体的特点是（）选项： A:电子和空穴浓度相等; B:电子和空穴浓度不相等; C:费米能级处于导带底和价带顶的中间; D:费米能级处于价带底和导带顶的中间。
- 10.已知室温(300K)下硅的禁带宽度 Eg1.12 eV,价带顶空穴和导带底电子的⏺⏺有效质量之比m* / mn 0.5519 3⏺⏺kT 0.026eV 。试计算:1)室温(300K)下,纯净单晶硅的本征费米能级 Ei;2)室温(300K)下,掺磷浓度为 1016/cm3 的 n 型单晶硅的费米能级 EF。
- 11.随着温度的升高，p型半导体的费米能（ ）。选项： A:从导带底部能级向禁带中央变化; B:从导带顶部能级向禁带中央变化; C:从价带顶部能级向禁带中央变化; D:从价带底部能级向禁带中央变化
- 12.随着温度的升高,P型半导体的费米能() 选项： A:从导带底部能级向禁带中央变化 B:从导带顶部能级向禁带中央变化 C:从价带顶部能级向禁带中央变化 D:从价带底部能级向禁带中央变化
- 13. 硫化铅晶体的禁带宽度为0.35eV，等效状态密度N=8.8×1018/cm3,计算300K时硫化铅价带空穴浓度和导带电子的浓度。（k=8.6×10-5eV/K）（）
- 14.[单选题]n型半导体中，施主能级在紧靠近导带的下方. A A.是 B B.否
- 15.已知Si中掺有硼杂质，且掺杂浓度为1017/cm3，则这是 型半导体，该半导体的费米能级在禁带中线的 选项： A:N，上方; B:P，上方; C:P，下方; D:N ，下方
- 16.半导体中载流子电子浓度等于（ ） 选项：A、导带量子态密度乘以电子占据能级的概率 B、导带量子态密度乘以电子占据能级的概率并在导带积分的结果 C、导带量子态密度乘以电子占据能级的概率除以晶体体积 D、B的结果除以晶体体积
- 17.硅晶体中的费米能级向高能级移动，可能对应以下情况发生选项： A:导带电子浓度增加 B:价带空穴浓度增加 C:导带有效态密度Nc减少 D:导带有效态密度Nc增加
- 18.硅表面能级由靠近导带的施主能级和靠近价带的受主能级组成。 选项： A、正确 B、错误
- 19.一种半导体E(k)曲线的导带底曲率大于其价带顶曲率，由此知其电子有效质量________于空穴有效质量，其本征费米能级位于禁带中间偏________。
